固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2007年
1期
13-17
,共5页
蒙特卡罗方法%静电感应晶体管%氮化镓
矇特卡囉方法%靜電感應晶體管%氮化鎵
몽특잡라방법%정전감응정체관%담화가
用全带多粒子Monte Carlo模拟方法研究了GaN基肖特基势垒静电感应晶体管(SIT)的特性,给出了器件的电势、电场强度和电子浓度分布的Monte Carlo模拟结果.模拟得到的SIT输出特性曲线呈现非饱和特性,即类三极管特性.当VGs=0,VDs=35 V时,漏源电流为47 A/cm,跨导为300 mS/mm,电流截至频率为150 GHz.结果表明该器件具有大电流、高跨导和高频工作的潜力.
用全帶多粒子Monte Carlo模擬方法研究瞭GaN基肖特基勢壘靜電感應晶體管(SIT)的特性,給齣瞭器件的電勢、電場彊度和電子濃度分佈的Monte Carlo模擬結果.模擬得到的SIT輸齣特性麯線呈現非飽和特性,即類三極管特性.噹VGs=0,VDs=35 V時,漏源電流為47 A/cm,跨導為300 mS/mm,電流截至頻率為150 GHz.結果錶明該器件具有大電流、高跨導和高頻工作的潛力.
용전대다입자Monte Carlo모의방법연구료GaN기초특기세루정전감응정체관(SIT)적특성,급출료기건적전세、전장강도화전자농도분포적Monte Carlo모의결과.모의득도적SIT수출특성곡선정현비포화특성,즉류삼겁관특성.당VGs=0,VDs=35 V시,루원전류위47 A/cm,과도위300 mS/mm,전류절지빈솔위150 GHz.결과표명해기건구유대전류、고과도화고빈공작적잠력.
