微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2007年
1期
79-81
,共3页
陈卫洁%邹雪城%程帅%邓敏
陳衛潔%鄒雪城%程帥%鄧敏
진위길%추설성%정수%산민
超宽输入范围%共模电平%输入管饱和%BiCMOS工艺
超寬輸入範圍%共模電平%輸入管飽和%BiCMOS工藝
초관수입범위%공모전평%수입관포화%BiCMOS공예
在分析运算放大器一般输入级电路结构的基础上,文章设计出一种新颖的电路结构以实现运算放大器的超宽共模输入范围,摆脱了电源电压对信号共模电平范围的限制,解决了一般运放输入级中容易出现的输入管饱和问题.电路采用1.6 μm的P衬N阱BiCMOS工艺制程,HSPICE仿真结果表明:电源电压为2.7V时,运算放大器的共模电平VCM输入范围为1V~7V,带宽为3 MHz(相位裕度72.5),开环增益为62.5 dB.
在分析運算放大器一般輸入級電路結構的基礎上,文章設計齣一種新穎的電路結構以實現運算放大器的超寬共模輸入範圍,襬脫瞭電源電壓對信號共模電平範圍的限製,解決瞭一般運放輸入級中容易齣現的輸入管飽和問題.電路採用1.6 μm的P襯N阱BiCMOS工藝製程,HSPICE倣真結果錶明:電源電壓為2.7V時,運算放大器的共模電平VCM輸入範圍為1V~7V,帶寬為3 MHz(相位裕度72.5),開環增益為62.5 dB.
재분석운산방대기일반수입급전로결구적기출상,문장설계출일충신영적전로결구이실현운산방대기적초관공모수입범위,파탈료전원전압대신호공모전평범위적한제,해결료일반운방수입급중용역출현적수입관포화문제.전로채용1.6 μm적P츤N정BiCMOS공예제정,HSPICE방진결과표명:전원전압위2.7V시,운산방대기적공모전평VCM수입범위위1V~7V,대관위3 MHz(상위유도72.5),개배증익위62.5 dB.