光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2006年
6期
650-653
,共4页
马洪霞%韩彦军%申屠伟进%张贤鹏%罗毅%钱可元
馬洪霞%韓彥軍%申屠偉進%張賢鵬%囉毅%錢可元
마홍하%한언군%신도위진%장현붕%라의%전가원
GaN%欧姆接触%Ni/Ag/Pt%俄歇电子能谱(AES)
GaN%歐姆接觸%Ni/Ag/Pt%俄歇電子能譜(AES)
GaN%구모접촉%Ni/Ag/Pt%아헐전자능보(AES)
提出了新型的Ni/Ag/Pt结构作为具有高光学反射率、低比接触电阻率(SCR)的p-GaN欧姆接触电极.在Ni/Ag/Pt厚度分别为3 nm/120 nm/2 nm的条件下,在500 ℃、O2气氛中退火3 min,获得了80 %的光学反射率(460 nm处)和4.43×10-4 Ω·cm2的SCR,样品的表面均方根(RMS)粗糙度约为8 nm.俄歇电子能谱(AES)分析表明,Pt很好地改善了Ag基电极退火后的表面形貌,Ni、Ag对形成良好的欧姆接触起了重要的作用.
提齣瞭新型的Ni/Ag/Pt結構作為具有高光學反射率、低比接觸電阻率(SCR)的p-GaN歐姆接觸電極.在Ni/Ag/Pt厚度分彆為3 nm/120 nm/2 nm的條件下,在500 ℃、O2氣氛中退火3 min,穫得瞭80 %的光學反射率(460 nm處)和4.43×10-4 Ω·cm2的SCR,樣品的錶麵均方根(RMS)粗糙度約為8 nm.俄歇電子能譜(AES)分析錶明,Pt很好地改善瞭Ag基電極退火後的錶麵形貌,Ni、Ag對形成良好的歐姆接觸起瞭重要的作用.
제출료신형적Ni/Ag/Pt결구작위구유고광학반사솔、저비접촉전조솔(SCR)적p-GaN구모접촉전겁.재Ni/Ag/Pt후도분별위3 nm/120 nm/2 nm적조건하,재500 ℃、O2기분중퇴화3 min,획득료80 %적광학반사솔(460 nm처)화4.43×10-4 Ω·cm2적SCR,양품적표면균방근(RMS)조조도약위8 nm.아헐전자능보(AES)분석표명,Pt흔호지개선료Ag기전겁퇴화후적표면형모,Ni、Ag대형성량호적구모접촉기료중요적작용.
