CAJ | 학술논문

万方数据

半导体光电 반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年 6期 694-697 ,共4页

成彩晶%鲁正雄%司俊杰%赵鸿燕%赵岚%丁嘉欣%孙维国%陈志忠%张国义

성채정%로정웅%사준걸%조홍연%조람%정가흔%손유국%진지충%장국의

MSM%横向肖特基二极管%理想因子%势垒高度%响应率%光谱响应 MSM%橫嚮肖特基二極管%理想因子%勢壘高度%響應率%光譜響應
MSM%횡향초특기이겁관%이상인자%세루고도%향응솔%광보향응

用MOCVD生长未掺杂n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器,并通过电击穿MSM右边肖特基势垒而制成了横向肖特基二极管.器件在零偏电压处的背景光电流为87.3 pA.从器件的室温I-V特性曲线计算出理想因子n、零偏势垒高度B0和串联电阻RS分别为1.99、0.788 eV和10.2 kΩ.器件在305 nm波长处有陡峭的截止边,300 nm峰值波长处电流响应率为0.034 A/W.
용MOCVD생장미참잡n-Al0.3Ga0.7N제비료MSM결구자외탐측기,병통과전격천MSM우변초특기세루이제성료횡향초특기이겁관.기건재령편전압처적배경광전류위87.3 pA.종기건적실온I-V특성곡선계산출이상인자n、령편세루고도B0화천련전조RS분별위1.99、0.788 eV화10.2 kΩ.기건재305 nm파장처유두초적절지변,300 nm봉치파장처전류향응솔위0.034 A/W.