光电工程
光電工程
광전공정
OPTO-ELECTRONIC ENGINEERING
2006年
1期
1-5
,共5页
光学光刻%干涉光刻%成像干涉光刻%分辨力增强技术%双向偏置照明
光學光刻%榦涉光刻%成像榦涉光刻%分辨力增彊技術%雙嚮偏置照明
광학광각%간섭광각%성상간섭광각%분변력증강기술%쌍향편치조명
成像干涉光刻技术(IIL)具有干涉光刻技术(IL)的高分辨力和光学光刻技术(OL)产生任意形状集成电路特征图形的能力.在IIL中,按掩模图形的不同空间频率成份分区曝光,并使其在抗蚀剂基片上非相干叠加,得到高分辨抗蚀剂图形.本文在研究一般三次曝光IIL原理基础上,提出采用沿X轴正、负方向以及沿Y轴正、负方向偏置的双向偏置照明,分别曝光+X方向、-X方向、+Y方向、-Y方向的高空间频率分量并与垂直于掩模方向的低空间频率分量曝光相结合的五次曝光IIL.理论和计算模拟表明,该方法可以提高图形对比度和分辨力,并减小因调焦误差引起的图形横向位移误差,有利于改善抗蚀剂图形质量.
成像榦涉光刻技術(IIL)具有榦涉光刻技術(IL)的高分辨力和光學光刻技術(OL)產生任意形狀集成電路特徵圖形的能力.在IIL中,按掩模圖形的不同空間頻率成份分區曝光,併使其在抗蝕劑基片上非相榦疊加,得到高分辨抗蝕劑圖形.本文在研究一般三次曝光IIL原理基礎上,提齣採用沿X軸正、負方嚮以及沿Y軸正、負方嚮偏置的雙嚮偏置照明,分彆曝光+X方嚮、-X方嚮、+Y方嚮、-Y方嚮的高空間頻率分量併與垂直于掩模方嚮的低空間頻率分量曝光相結閤的五次曝光IIL.理論和計算模擬錶明,該方法可以提高圖形對比度和分辨力,併減小因調焦誤差引起的圖形橫嚮位移誤差,有利于改善抗蝕劑圖形質量.
성상간섭광각기술(IIL)구유간섭광각기술(IL)적고분변력화광학광각기술(OL)산생임의형상집성전로특정도형적능력.재IIL중,안엄모도형적불동공간빈솔성빈분구폭광,병사기재항식제기편상비상간첩가,득도고분변항식제도형.본문재연구일반삼차폭광IIL원리기출상,제출채용연X축정、부방향이급연Y축정、부방향편치적쌍향편치조명,분별폭광+X방향、-X방향、+Y방향、-Y방향적고공간빈솔분량병여수직우엄모방향적저공간빈솔분량폭광상결합적오차폭광IIL.이론화계산모의표명,해방법가이제고도형대비도화분변력,병감소인조초오차인기적도형횡향위이오차,유리우개선항식제도형질량.
