微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2005年
11期
90-92
,共3页
孟锋%蔡理%李芹%任培林
孟鋒%蔡理%李芹%任培林
맹봉%채리%리근%임배림
隧道结%单电子隧穿%库仑台阶
隧道結%單電子隧穿%庫崙檯階
수도결%단전자수천%고륜태계
基于单电子隧道结电压特征公式[1],借助Matlab拟合其隧穿特性曲线,给出了时不变和时变偏置电流作用下的I-V特性震荡曲线,并就仿真结果进行分析,将该模型应用于单电子盒进行仿真验证,出现了明显的库仑台阶,仿真曲线印证了理论分析结果.利用Matab强大的计算功能进行单电子器件特性仿真对单电子器件的应用研究有重要意义.
基于單電子隧道結電壓特徵公式[1],藉助Matlab擬閤其隧穿特性麯線,給齣瞭時不變和時變偏置電流作用下的I-V特性震盪麯線,併就倣真結果進行分析,將該模型應用于單電子盒進行倣真驗證,齣現瞭明顯的庫崙檯階,倣真麯線印證瞭理論分析結果.利用Matab彊大的計算功能進行單電子器件特性倣真對單電子器件的應用研究有重要意義.
기우단전자수도결전압특정공식[1],차조Matlab의합기수천특성곡선,급출료시불변화시변편치전류작용하적I-V특성진탕곡선,병취방진결과진행분석,장해모형응용우단전자합진행방진험증,출현료명현적고륜태계,방진곡선인증료이론분석결과.이용Matab강대적계산공능진행단전자기건특성방진대단전자기건적응용연구유중요의의.
