半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2005年
1期
5-9
,共5页
CCD%CMOS%图像传感器
CCD%CMOS%圖像傳感器
CCD%CMOS%도상전감기
CCD与CMOS图像传感器由于结构和制造过程的不同而存在各自的优势与劣势.文章从结构与技术差异的角度,对二者的探测性能进行了比较,并展望了发展前景.
CCD與CMOS圖像傳感器由于結構和製造過程的不同而存在各自的優勢與劣勢.文章從結構與技術差異的角度,對二者的探測性能進行瞭比較,併展望瞭髮展前景.
CCD여CMOS도상전감기유우결구화제조과정적불동이존재각자적우세여열세.문장종결구여기술차이적각도,대이자적탐측성능진행료비교,병전망료발전전경.