总剂量辐射对高速电路时间特性的影响
총제량복사대고속전로시간특성적영향
Effects of total dose radiation on time characteristic of high-speed CMOS circuits
  • 万方数据
    核技术 핵기술
    NUCLEAR TECHNIQUES
    2003年 11期 834-836 ,共3页

    艾尔肯%余学峰%郭旗%严荣良%陆妩%张国强%任迪远

    애이긍%여학봉%곽기%엄영량%륙무%장국강%임적원

    时间特性%总剂量辐射%辐照偏置 時間特性%總劑量輻射%輻照偏置
    시간특성%총제량복사%복조편치
    对不同辐照偏置条件下,总剂量辐射对高速CMOS电路54HC04时间参数的影响进行了探讨,并与相应的直流参数的响应特性进行了对比,研究了两者之间的相关性.结果表明,在总剂量辐射环境下,高速CMOS电路的延迟时间变化与阈电压的漂移有着强烈的相关性,0 V和4.5 V两种偏置状态将分别导致电路的时间参数的明显退化.
    대불동복조편치조건하,총제량복사대고속CMOS전로54HC04시간삼수적영향진행료탐토,병여상응적직류삼수적향응특성진행료대비,연구료량자지간적상관성.결과표명,재총제량복사배경하,고속CMOS전로적연지시간변화여역전압적표이유착강렬적상관성,0 V화4.5 V량충편치상태장분별도치전로적시간삼수적명현퇴화.
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