北京师范大学学报(自然科学版)
北京師範大學學報(自然科學版)
북경사범대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF BEIJING NORMAL UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2001年
1期
62-65
,共4页
李永良%杨锡震%周艳%王亚非
李永良%楊錫震%週豔%王亞非
리영량%양석진%주염%왕아비
GaP%少子扩散长度%表面复合速度%电子束感生电流
GaP%少子擴散長度%錶麵複閤速度%電子束感生電流
GaP%소자확산장도%표면복합속도%전자속감생전류
应用扫描电子显微镜（SEM）对GaP半导体材料的p-n结进行线扫描，得到电子束感生电流（EBIC）的线扫描曲线.给出一简单模型，对GaP样品n区的EBIC线形进行计算，拟合实验曲线，得出少子扩散长度和表面复合速度.
應用掃描電子顯微鏡（SEM）對GaP半導體材料的p-n結進行線掃描，得到電子束感生電流（EBIC）的線掃描麯線.給齣一簡單模型，對GaP樣品n區的EBIC線形進行計算，擬閤實驗麯線，得齣少子擴散長度和錶麵複閤速度.
응용소묘전자현미경（SEM）대GaP반도체재료적p-n결진행선소묘，득도전자속감생전류（EBIC）적선소묘곡선.급출일간단모형，대GaP양품n구적EBIC선형진행계산，의합실험곡선，득출소자확산장도화표면복합속도.
A new method is proposed for determining the bulk minoritycarrier diffusion length and surface recombination velocity. Moreover, the electron-beam-induced current (EBIC) profile in which the p-n junction is parallel to the electron beam is obtained using SEM. A simple model is used to calculate the EBIC profile and to fit with the experiment data, then the diffusion length and surface recombination velocity are obtained.
