硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响
붕원자대Si(100)츤저상Ge양자점생장적영향
Influence of Boron Atom on Growth of Ge Quantum Dots on Si(100)
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2000年 8期 765-769 ,共5页

    周星飞%施斌%蒋伟荣%胡冬枝%樊永良%龚大卫%张翔九%蒋最敏

    주성비%시빈%장위영%호동지%번영량%공대위%장상구%장최민

    量子点%Ge%生长 量子點%Ge%生長
    양자점%Ge%생장
    研究了硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点自组织生长的影响.硼原子的数量由0单原子层变到0.3单原子层.原子力显微镜的观察表明,硼原子不仅对量子点的大小,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响.当硼原子的数量为0.2单原子层时,获得了底部直径为60±5nm,面密度为6×109cm-2,且均匀性很好的Ge量子点.另外,还简单讨论了硼原子对Ge量子点自组织生长影响的机制.
    연구료붕원자대Si(100)츤저상Ge양자점자조직생장적영향.붕원자적수량유0단원자층변도0.3단원자층.원자력현미경적관찰표명,붕원자불부대양자점적대소,이차대기척촌균균성급밀도도유흔대영향.당붕원자적수량위0.2단원자층시,획득료저부직경위60±5nm,면밀도위6×109cm-2,차균균성흔호적Ge양자점.령외,환간단토론료붕원자대Ge양자점자조직생장영향적궤제.
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