物理
物理
물리
2000年
1期
19-22,60
,共5页
程立森%张泽%杨志坚%童玉珍%张国义
程立森%張澤%楊誌堅%童玉珍%張國義
정립삼%장택%양지견%동옥진%장국의
GaN%金属有机化合物气相外延(MOVPE)%微结构
GaN%金屬有機化閤物氣相外延(MOVPE)%微結構
GaN%금속유궤화합물기상외연(MOVPE)%미결구
研究了金属有机化合物气相外延(MOVPE)方法在(0001)氧化铝基底上生长的GaN薄膜的微结构,目的在于解释GaN缓冲层在二步法生长过程中的作用及其对外延层晶体质量的影响.在缓冲层中观察到了高密度的结构缺陷,并发现了两种晶体结构(立方和六角)的GaN.进而对两种结构GaN的成因进行讨论,并对缓冲层和外延层中结构缺陷的关系进行了研究.
研究瞭金屬有機化閤物氣相外延(MOVPE)方法在(0001)氧化鋁基底上生長的GaN薄膜的微結構,目的在于解釋GaN緩遲層在二步法生長過程中的作用及其對外延層晶體質量的影響.在緩遲層中觀察到瞭高密度的結構缺陷,併髮現瞭兩種晶體結構(立方和六角)的GaN.進而對兩種結構GaN的成因進行討論,併對緩遲層和外延層中結構缺陷的關繫進行瞭研究.
연구료금속유궤화합물기상외연(MOVPE)방법재(0001)양화려기저상생장적GaN박막적미결구,목적재우해석GaN완충층재이보법생장과정중적작용급기대외연층정체질량적영향.재완충층중관찰도료고밀도적결구결함,병발현료량충정체결구(립방화륙각)적GaN.진이대량충결구GaN적성인진행토론,병대완충층화외연층중결구결함적관계진행료연구.
