微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2000年
4期
263-267
,共5页
VLSI%CMOS逻辑电路%低功耗电路%深亚微米器件
VLSI%CMOS邏輯電路%低功耗電路%深亞微米器件
VLSI%CMOS라집전로%저공모전로%심아미미기건
分析了CMOS逻辑电路的功耗来源,从降低电源电压、减小负载电容和逻辑电路开关活动几率等方面论述了降低功耗的途径.讨论了深亚微米器件中亚阈值电流对功耗的影响以及减小亚阀值电流的措施,最后分析了高层次设计对降低功耗的关键作用,说明低功耗设计必须从设计的各个层次加以考虑,实现整体优化设计.
分析瞭CMOS邏輯電路的功耗來源,從降低電源電壓、減小負載電容和邏輯電路開關活動幾率等方麵論述瞭降低功耗的途徑.討論瞭深亞微米器件中亞閾值電流對功耗的影響以及減小亞閥值電流的措施,最後分析瞭高層次設計對降低功耗的關鍵作用,說明低功耗設計必鬚從設計的各箇層次加以攷慮,實現整體優化設計.
분석료CMOS라집전로적공모래원,종강저전원전압、감소부재전용화라집전로개관활동궤솔등방면논술료강저공모적도경.토론료심아미미기건중아역치전류대공모적영향이급감소아벌치전류적조시,최후분석료고층차설계대강저공모적관건작용,설명저공모설계필수종설계적각개층차가이고필,실현정체우화설계.
