GeSi/Si Mach-Zehnder干涉型调制器的研制
GeSi/Si Mach-Zehnder간섭형조제기적연제
SiGe/Si Mach-Zehnder Interferometer Modulator
  • 万方数据
    光电子·激光 광전자·격광
    JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
    2000年 1期 14-16 ,共3页

    李宝军%万建军%李国正%刘恩科%胡冬枝%裴成文%秦捷%蒋最敏%王迅

    리보군%만건군%리국정%류은과%호동지%배성문%진첩%장최민%왕신

    调制器%光波导%GeSi 調製器%光波導%GeSi
    조제기%광파도%GeSi
    基于GeSi合金的等离子体色散效应,研制了一种Mach-Zehnder干涉型调制器,通过对其损耗和调制特性的测试得到:调制器对1.3 μm光的插入损耗为6.5 dB,最大调制深度达86%,相应的π相移调制电压为0.9 V,关断电流和调制区的注入电流密度分别为40 mA和0.97 kA/cm2.
    기우GeSi합금적등리자체색산효응,연제료일충Mach-Zehnder간섭형조제기,통과대기손모화조제특성적측시득도:조제기대1.3 μm광적삽입손모위6.5 dB,최대조제심도체86%,상응적π상이조제전압위0.9 V,관단전류화조제구적주입전류밀도분별위40 mA화0.97 kA/cm2.
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