压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
1999年
5期
387-389
,共3页
黄继颇%王连卫%祝向荣%多新中%林成鲁
黃繼頗%王連衛%祝嚮榮%多新中%林成魯
황계파%왕련위%축향영%다신중%림성로
氮化铝%脉冲激光沉积%压电性
氮化鋁%脈遲激光沉積%壓電性
담화려%맥충격광침적%압전성
c轴取向的AlN具有优异的压电性和声表面波传输特性,已受到人们日益广泛的重视.文章报道了采用KrF脉冲准分子激光沉积工艺,在Si(100)衬底上成功地制备了c轴取向的AlN晶态薄膜.X射线衍射与傅里叶变换红外光谱的结果表明,在300°C～800°C衬底温度下,薄膜均只有(002)一个衍射峰,但随着温度的升高,薄膜的结晶质量变好;原子力显微镜对800°C沉积薄膜观察结果显示,薄膜具有高度一致的柱状结构,平均晶粒大小为250nm.
c軸取嚮的AlN具有優異的壓電性和聲錶麵波傳輸特性,已受到人們日益廣汎的重視.文章報道瞭採用KrF脈遲準分子激光沉積工藝,在Si(100)襯底上成功地製備瞭c軸取嚮的AlN晶態薄膜.X射線衍射與傅裏葉變換紅外光譜的結果錶明,在300°C～800°C襯底溫度下,薄膜均隻有(002)一箇衍射峰,但隨著溫度的升高,薄膜的結晶質量變好;原子力顯微鏡對800°C沉積薄膜觀察結果顯示,薄膜具有高度一緻的柱狀結構,平均晶粒大小為250nm.
c축취향적AlN구유우이적압전성화성표면파전수특성,이수도인문일익엄범적중시.문장보도료채용KrF맥충준분자격광침적공예,재Si(100)츤저상성공지제비료c축취향적AlN정태박막.X사선연사여부리협변환홍외광보적결과표명,재300°C～800°C츤저온도하,박막균지유(002)일개연사봉,단수착온도적승고,박막적결정질량변호;원자력현미경대800°C침적박막관찰결과현시,박막구유고도일치적주상결구,평균정립대소위250nm.
