电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
1999年
2期
21-23
,共3页
钛酸锶铅%V形PTCR陶瓷%添加剂%氮化硼
鈦痠鍶鉛%V形PTCR陶瓷%添加劑%氮化硼
태산송연%V형PTCR도자%첨가제%담화붕
研究了原材料、液相添加剂BN对Y3+掺杂的(Sr0.4Pb0.6)TiO3 V形PTCR陶瓷半导化和显微结构的影响.结果表明,添加剂BN能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ25和烧结温度.用常规的制备方法制得居里温度TC≈210℃、ρ25≤5.0×103Ω.cm、电阻温度系数α40≈13%℃-1、电阻率ρ突变比ρmax/ρmin>5.0×103的V形PTCR陶瓷材料.
研究瞭原材料、液相添加劑BN對Y3+摻雜的(Sr0.4Pb0.6)TiO3 V形PTCR陶瓷半導化和顯微結構的影響.結果錶明,添加劑BN能促進晶粒生長、改善顯微結構、顯著降低室溫電阻率ρ25和燒結溫度.用常規的製備方法製得居裏溫度TC≈210℃、ρ25≤5.0×103Ω.cm、電阻溫度繫數α40≈13%℃-1、電阻率ρ突變比ρmax/ρmin>5.0×103的V形PTCR陶瓷材料.
연구료원재료、액상첨가제BN대Y3+참잡적(Sr0.4Pb0.6)TiO3 V형PTCR도자반도화화현미결구적영향.결과표명,첨가제BN능촉진정립생장、개선현미결구、현저강저실온전조솔ρ25화소결온도.용상규적제비방법제득거리온도TC≈210℃、ρ25≤5.0×103Ω.cm、전조온도계수α40≈13%℃-1、전조솔ρ돌변비ρmax/ρmin>5.0×103적V형PTCR도자재료.
