半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
2期
153-156
,共4页
余学功%杨德仁%马向阳%李红%阙端麟
餘學功%楊德仁%馬嚮暘%李紅%闕耑麟
여학공%양덕인%마향양%리홍%궐단린
氢退火%空洞型缺陷%氧外扩散
氫退火%空洞型缺陷%氧外擴散
경퇴화%공동형결함%양외확산
研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷(voids)的影响.样品在1050～1200℃范围进行氢退火,退火前后样品上的流水花样缺陷(FPD)和晶体原生粒子(COP)在腐蚀后分别用微分干涉光学显微镜和激光记数器进行观察.实验结果表明在氢退火以后,FPD缺陷的密度随温度升高不变,而样品上的COP密度大量减少.分析可知,氢气退火仅仅消除了硅片表面的voids,而对于硅片体内的voids不产生影响,并在实验的基础上,讨论了氢退火消除voids的机理.
研究瞭氫退火對大直徑直拉硅單晶中空洞型缺陷(voids)的影響.樣品在1050～1200℃範圍進行氫退火,退火前後樣品上的流水花樣缺陷(FPD)和晶體原生粒子(COP)在腐蝕後分彆用微分榦涉光學顯微鏡和激光記數器進行觀察.實驗結果錶明在氫退火以後,FPD缺陷的密度隨溫度升高不變,而樣品上的COP密度大量減少.分析可知,氫氣退火僅僅消除瞭硅片錶麵的voids,而對于硅片體內的voids不產生影響,併在實驗的基礎上,討論瞭氫退火消除voids的機理.
연구료경퇴화대대직경직랍규단정중공동형결함(voids)적영향.양품재1050～1200℃범위진행경퇴화,퇴화전후양품상적류수화양결함(FPD)화정체원생입자(COP)재부식후분별용미분간섭광학현미경화격광기수기진행관찰.실험결과표명재경퇴화이후,FPD결함적밀도수온도승고불변,이양품상적COP밀도대량감소.분석가지,경기퇴화부부소제료규편표면적voids,이대우규편체내적voids불산생영향,병재실험적기출상,토론료경퇴화소제voids적궤리.
