半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
3期
290-295
,共6页
胡靖%穆甫臣%许铭真%谭长华
鬍靖%穆甫臣%許銘真%譚長華
호정%목보신%허명진%담장화
HCI%热载流子效应%氧化层厚度效应%寿命预测模型%器件可靠性
HCI%熱載流子效應%氧化層厚度效應%壽命預測模型%器件可靠性
HCI%열재류자효응%양화층후도효응%수명예측모형%기건가고성
HCI%hot-carrier effect%oxide thickness effect%lifetime prediction model%device reliability
在最大衬底电流条件下(Vg=Vd/2),研究了不同氧化层厚度的表面沟道n-MOSFETs在热载流子应力下的退化.结果表明, Hu的寿命预测模型的两个关键参数m与n氧化层厚度有着密切关系.此外,和有着线性关系,尽管不同的氧化层厚度会引起不同的模型参数,但是如果对于不同厚度的氧化层,采用不同的m与n,Hu的模型仍然成立.在这个结果的基础上,Hu的寿命预测模型能用于更薄的氧化层.
在最大襯底電流條件下(Vg=Vd/2),研究瞭不同氧化層厚度的錶麵溝道n-MOSFETs在熱載流子應力下的退化.結果錶明, Hu的壽命預測模型的兩箇關鍵參數m與n氧化層厚度有著密切關繫.此外,和有著線性關繫,儘管不同的氧化層厚度會引起不同的模型參數,但是如果對于不同厚度的氧化層,採用不同的m與n,Hu的模型仍然成立.在這箇結果的基礎上,Hu的壽命預測模型能用于更薄的氧化層.
재최대츤저전류조건하(Vg=Vd/2),연구료불동양화층후도적표면구도n-MOSFETs재열재류자응력하적퇴화.결과표명, Hu적수명예측모형적량개관건삼수m여n양화층후도유착밀절관계.차외,화유착선성관계,진관불동적양화층후도회인기불동적모형삼수,단시여과대우불동후도적양화층,채용불동적m여n,Hu적모형잉연성립.재저개결과적기출상,Hu적수명예측모형능용우경박적양화층.
Hot-carrier induced (HCI) degradation of surface channel n-MOSFETs with different oxide thicknesses is investigated under maximum substrate current condition.Results show that the key parameters m and n of Hu's lifetime prediction model have a close relationship with oxide thickness.Furthermore,a linear relationship is found between m and n.Based on this result,the lifetime prediction model can be expended to the device with thinner oxides.
