CAJ | 학술논문

研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响.实验结果表明,三步退火后在掺氮硅片截面形成特殊的M形的氧沉淀密度分布,即表面形成没有氧沉淀的洁净区(DZ),体内靠近DZ区域形成高密度、小尺寸的氧沉淀,而在硅片的中心处形成低密度、大尺寸的氧沉淀.分析认为,由于在第一步高温退火过程中氮在硅片表面外扩散,同时在硅片体内促进氧沉淀,改变了间隙氧的分布,从而导致在随后的热处理过程中氧沉淀的特殊分布行为.
연구료담재퇴화과정중대직랍규편중적양침정분포적영향.실험결과표명,삼보퇴화후재참담규편절면형성특수적M형적양침정밀도분포,즉표면형성몰유양침정적길정구(DZ),체내고근DZ구역형성고밀도、소척촌적양침정,이재규편적중심처형성저밀도、대척촌적양침정.분석인위,유우재제일보고온퇴화과정중담재규편표면외확산,동시재규편체내촉진양침정,개변료간극양적분포,종이도치재수후적열처리과정중양침정적특수분포행위.