表面技术
錶麵技術
표면기술
SURFACE TECHNOLOGY
2005年
5期
59-62
,共4页
翁海峰%陈秋龙%蔡珣%鲍明东
翁海峰%陳鞦龍%蔡珣%鮑明東
옹해봉%진추룡%채순%포명동
微弧氧化%脉冲%占空比%铝%氧化膜
微弧氧化%脈遲%佔空比%鋁%氧化膜
미호양화%맥충%점공비%려%양화막
为研究交流脉冲电源占空比的变化对纯铝微弧氧化的影响,设计了在恒流条件下(J=75mA·cm-2)进行从2%到18%不同占空比下对纯铝进行微弧氧化实验.研究发现,陶瓷膜的主要成分为稳定态的α-Al2O3和亚稳态的γ-Al2O3,随着占空比的提高,α-Al2O3逐渐成为氧化膜的主要成分,而氧化膜的表面则越来越粗糙.当占空比为10%时,得到最大的氧化膜厚度和最佳的氧化膜截面形貌.
為研究交流脈遲電源佔空比的變化對純鋁微弧氧化的影響,設計瞭在恆流條件下(J=75mA·cm-2)進行從2%到18%不同佔空比下對純鋁進行微弧氧化實驗.研究髮現,陶瓷膜的主要成分為穩定態的α-Al2O3和亞穩態的γ-Al2O3,隨著佔空比的提高,α-Al2O3逐漸成為氧化膜的主要成分,而氧化膜的錶麵則越來越粗糙.噹佔空比為10%時,得到最大的氧化膜厚度和最佳的氧化膜截麵形貌.
위연구교류맥충전원점공비적변화대순려미호양화적영향,설계료재항류조건하(J=75mA·cm-2)진행종2%도18%불동점공비하대순려진행미호양화실험.연구발현,도자막적주요성분위은정태적α-Al2O3화아은태적γ-Al2O3,수착점공비적제고,α-Al2O3축점성위양화막적주요성분,이양화막적표면칙월래월조조.당점공비위10%시,득도최대적양화막후도화최가적양화막절면형모.
