半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
7期
546-548
,共3页
低噪声放大器%噪声系数%平衡电路
低譟聲放大器%譟聲繫數%平衡電路
저조성방대기%조성계수%평형전로
介绍了C波段低噪声放大器的设计和研制过程,并给出了研制结果.它采用平衡式电路结构来达到宽带、低噪声的性能.该放大器在5～6GHz的性能指标为:小信号功率增益GP≥30dB,增益波动△GP≤0.8dB,输出P-1≥10dBm,噪声系数NF≤1.0dB,输入驻波比≤1.2:1,输出驻波比≤1.2:1.
介紹瞭C波段低譟聲放大器的設計和研製過程,併給齣瞭研製結果.它採用平衡式電路結構來達到寬帶、低譟聲的性能.該放大器在5～6GHz的性能指標為:小信號功率增益GP≥30dB,增益波動△GP≤0.8dB,輸齣P-1≥10dBm,譟聲繫數NF≤1.0dB,輸入駐波比≤1.2:1,輸齣駐波比≤1.2:1.
개소료C파단저조성방대기적설계화연제과정,병급출료연제결과.타채용평형식전로결구래체도관대、저조성적성능.해방대기재5～6GHz적성능지표위:소신호공솔증익GP≥30dB,증익파동△GP≤0.8dB,수출P-1≥10dBm,조성계수NF≤1.0dB,수입주파비≤1.2:1,수출주파비≤1.2:1.
