激光与红外
激光與紅外
격광여홍외
LASER & INFRARED
2002年
3期
174-176
,共3页
余般梅%胡渝%曾广荣%冯莹
餘般梅%鬍渝%曾廣榮%馮瑩
여반매%호투%증엄영%풍형
半导体激光器%光电吸收池%波长稳定性
半導體激光器%光電吸收池%波長穩定性
반도체격광기%광전흡수지%파장은정성
文中对半导体激光器光电吸收稳频方法进行了基础研究和原理性实验,设计并制作以氪气(Kr)作吸收介质的光电吸收池,实现了波长为1310nm InGaAsP DFB激光器工作波长的基本稳定.测试结果表明,激光器输出中心波长和峰值波长锁定在1308.279nm,且-20dB谱宽由稳频前的0.30nm变为0.12nm左右.
文中對半導體激光器光電吸收穩頻方法進行瞭基礎研究和原理性實驗,設計併製作以氪氣(Kr)作吸收介質的光電吸收池,實現瞭波長為1310nm InGaAsP DFB激光器工作波長的基本穩定.測試結果錶明,激光器輸齣中心波長和峰值波長鎖定在1308.279nm,且-20dB譜寬由穩頻前的0.30nm變為0.12nm左右.
문중대반도체격광기광전흡수은빈방법진행료기출연구화원이성실험,설계병제작이극기(Kr)작흡수개질적광전흡수지,실현료파장위1310nm InGaAsP DFB격광기공작파장적기본은정.측시결과표명,격광기수출중심파장화봉치파장쇄정재1308.279nm,차-20dB보관유은빈전적0.30nm변위0.12nm좌우.
