原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2004年
2期
191-194
,共4页
李公平%丁宝卫%张小东%丁印锋%刘正民%朱德彰%包良满
李公平%丁寶衛%張小東%丁印鋒%劉正民%硃德彰%包良滿
리공평%정보위%장소동%정인봉%류정민%주덕창%포량만
铜团簇束%碰撞沉积%单晶硅%XPS谱%薄膜中的原子结合能
銅糰簇束%踫撞沉積%單晶硅%XPS譜%薄膜中的原子結閤能
동단족속%팽당침적%단정규%XPS보%박막중적원자결합능
用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu-n(n是团簇原子个数)团簇束 ,当团簇束分别在偏压为:0,1,3,5,10 kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的 P型Si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品.用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜,结果表明:薄膜本身不含C和O等杂质;当Cu/P-Si(111)样品暴露在空气中时,样品表面会氧化和碳污染,铜的特征电子峰几乎被湮没.用能量3 keV流强为4～6 μA/cm2*!Ar+束, 预溅射处理样品表面后,用XPS分析,常规磁控溅射室温下得到的Cu/P-Si(111)样品和铜团簇束沉积,偏压分别为0,1,3,5,10 kV的样品XPS谱和块状Cu标样谱基本一样,Cu2P1、Cu2P3、 CuLMM特征峰位没有移动,反映不出原子结合能差异.
用一種新型磁控濺射氣體凝聚糰簇源產生Cu-n(n是糰簇原子箇數)糰簇束 ,噹糰簇束分彆在偏壓為:0,1,3,5,10 kV的電場中加速後,在真空中,沉積在室溫下的 P型Si(111)襯底上,穫得Cu/P-Si(111)薄膜樣品.用X射線光電子能譜(XPS)分析薄膜,結果錶明:薄膜本身不含C和O等雜質;噹Cu/P-Si(111)樣品暴露在空氣中時,樣品錶麵會氧化和碳汙染,銅的特徵電子峰幾乎被湮沒.用能量3 keV流彊為4～6 μA/cm2*!Ar+束, 預濺射處理樣品錶麵後,用XPS分析,常規磁控濺射室溫下得到的Cu/P-Si(111)樣品和銅糰簇束沉積,偏壓分彆為0,1,3,5,10 kV的樣品XPS譜和塊狀Cu標樣譜基本一樣,Cu2P1、Cu2P3、 CuLMM特徵峰位沒有移動,反映不齣原子結閤能差異.
용일충신형자공천사기체응취단족원산생Cu-n(n시단족원자개수)단족속 ,당단족속분별재편압위:0,1,3,5,10 kV적전장중가속후,재진공중,침적재실온하적 P형Si(111)츤저상,획득Cu/P-Si(111)박막양품.용X사선광전자능보(XPS)분석박막,결과표명:박막본신불함C화O등잡질;당Cu/P-Si(111)양품폭로재공기중시,양품표면회양화화탄오염,동적특정전자봉궤호피인몰.용능량3 keV류강위4～6 μA/cm2*!Ar+속, 예천사처리양품표면후,용XPS분석,상규자공천사실온하득도적Cu/P-Si(111)양품화동단족속침적,편압분별위0,1,3,5,10 kV적양품XPS보화괴상Cu표양보기본일양,Cu2P1、Cu2P3、 CuLMM특정봉위몰유이동,반영불출원자결합능차이.
