电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2005年
5期
11-13
,共3页
牛丽霞%周方桥%陈志雄%庄严
牛麗霞%週方橋%陳誌雄%莊嚴
우려하%주방교%진지웅%장엄
电子技术%钛酸锶压敏陶瓷%表面氧化层%晶界势垒
電子技術%鈦痠鍶壓敏陶瓷%錶麵氧化層%晶界勢壘
전자기술%태산송압민도자%표면양화층%정계세루
采用逐层研磨及电测量的方法,对800～1050℃不同温度下,热处理的SrTiO3陶瓷电容–压敏元件的表面氧化层进行了研究.结果表明:该类元件存在明显的表面氧化层结构,且随着热处理温度升高,表面氧化层厚度增大,800～1000℃不同温度热处理的样品,其表面氧化层厚度为26～107μm;表面氧化层内扩散氧的浓度和晶界势垒的高度是由表及里逐渐减小的.
採用逐層研磨及電測量的方法,對800～1050℃不同溫度下,熱處理的SrTiO3陶瓷電容–壓敏元件的錶麵氧化層進行瞭研究.結果錶明:該類元件存在明顯的錶麵氧化層結構,且隨著熱處理溫度升高,錶麵氧化層厚度增大,800～1000℃不同溫度熱處理的樣品,其錶麵氧化層厚度為26～107μm;錶麵氧化層內擴散氧的濃度和晶界勢壘的高度是由錶及裏逐漸減小的.
채용축층연마급전측량적방법,대800～1050℃불동온도하,열처리적SrTiO3도자전용–압민원건적표면양화층진행료연구.결과표명:해류원건존재명현적표면양화층결구,차수착열처리온도승고,표면양화층후도증대,800～1000℃불동온도열처리적양품,기표면양화층후도위26～107μm;표면양화층내확산양적농도화정계세루적고도시유표급리축점감소적.
