物理学报
物理學報
물이학보
2006年
6期
3067-3072
,共6页
PZT铁电薄膜%择优取向%过渡层%剩余极化强度
PZT鐵電薄膜%擇優取嚮%過渡層%剩餘極化彊度
PZT철전박막%택우취향%과도층%잉여겁화강도
选用不同浓度的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3溶胶,用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上沉积一层厚度不同的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT52)过渡层,经400℃烘烤、550℃退火等程序后,再用Sol-gel法在PZT52过渡层上沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜.XRD分析表明,有PZT52过渡层的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜具有(111)择优取向的钙钛矿结构,且随着过渡层厚度的增加,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜的(111)择优取向程度越高.SEM分析表明,当PZT52过渡层的厚度达到14nm以上,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜结晶程度得到明显改善,平均晶粒尺寸大大增加.介电、铁电性能测试表明,与没有过渡层的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜相比,有PZT52过渡层的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜具有较大的介电常数和剩余极化强度,而介电损耗则较小.
選用不同濃度的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3溶膠,用Sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上沉積一層厚度不同的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT52)過渡層,經400℃烘烤、550℃退火等程序後,再用Sol-gel法在PZT52過渡層上沉積Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜.XRD分析錶明,有PZT52過渡層的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜具有(111)擇優取嚮的鈣鈦礦結構,且隨著過渡層厚度的增加,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜的(111)擇優取嚮程度越高.SEM分析錶明,噹PZT52過渡層的厚度達到14nm以上,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜結晶程度得到明顯改善,平均晶粒呎吋大大增加.介電、鐵電性能測試錶明,與沒有過渡層的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜相比,有PZT52過渡層的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜具有較大的介電常數和剩餘極化彊度,而介電損耗則較小.
선용불동농도적Pb(Zr0.52Ti0.48)O3용효,용Sol-gel법재Pt/Ti/SiO2/Si기편상침적일층후도불동적Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT52)과도층,경400℃홍고、550℃퇴화등정서후,재용Sol-gel법재PZT52과도층상침적Pb(Zr0.52Ti0.48)O3박막.XRD분석표명,유PZT52과도층적Pb(Zr0.52Ti0.48)O3박막구유(111)택우취향적개태광결구,차수착과도층후도적증가,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3박막적(111)택우취향정도월고.SEM분석표명,당PZT52과도층적후도체도14nm이상,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3박막결정정도득도명현개선,평균정립척촌대대증가.개전、철전성능측시표명,여몰유과도층적Pb(Zr0.52Ti0.48)O3박막상비,유PZT52과도층적Pb(Zr0.52Ti0.48)O3박막구유교대적개전상수화잉여겁화강도,이개전손모칙교소.
