半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
8期
1351-1354
,共4页
刘文莉%郝永芹%王玉霞%姜晓光%冯源%李海军%钟景昌
劉文莉%郝永芹%王玉霞%薑曉光%馮源%李海軍%鐘景昌
류문리%학영근%왕옥하%강효광%풍원%리해군%종경창
侧向氧化%量子阱%垂直腔面发射激光器
側嚮氧化%量子阱%垂直腔麵髮射激光器
측향양화%양자정%수직강면발사격광기
lateral oxidation%quantum well%vertical cavity surface emitting laser
研究了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的侧向氧化工艺及其特性.发现对于条形台面,氧化物生长遵循线性生长规律.但对于在VCSEL中采用的两种结构,氧化物的生长(温度高于435℃)表现为非线性生长行为.理论分析表明,台面结构的几何形状对高温下的氧化速率产生了影响.
研究瞭垂直腔麵髮射激光器(VCSEL)的側嚮氧化工藝及其特性.髮現對于條形檯麵,氧化物生長遵循線性生長規律.但對于在VCSEL中採用的兩種結構,氧化物的生長(溫度高于435℃)錶現為非線性生長行為.理論分析錶明,檯麵結構的幾何形狀對高溫下的氧化速率產生瞭影響.
연구료수직강면발사격광기(VCSEL)적측향양화공예급기특성.발현대우조형태면,양화물생장준순선성생장규률.단대우재VCSEL중채용적량충결구,양화물적생장(온도고우435℃)표현위비선성생장행위.이론분석표명,태면결구적궤하형상대고온하적양화속솔산생료영향.
Lateral oxidation in vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) is described,and its characteristics are investigated.A linear growth law is found for stripe mesas.However,oxide growth (above 435℃) follows a nonlinear law for the two geometry mesa structures which we employ in VCSEL.Theoretical analysis indicates that mesa structure geometry influences oxide growth rate at higher temperatures.
