功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2007年
6期
651-654
,共4页
郭余英%史伟民%魏光普%邱永华%夏义本
郭餘英%史偉民%魏光普%邱永華%夏義本
곽여영%사위민%위광보%구영화%하의본
硫化锡%太阳电池%掺杂%真空蒸发%电阻率
硫化錫%太暘電池%摻雜%真空蒸髮%電阻率
류화석%태양전지%참잡%진공증발%전조솔
硫化锡(SnS)具有很高的光吸收系数和合适的禁带宽度,又无毒性,因此在太阳电池等光电器件中具有潜在应用价值.本文用真空蒸发法制备掺杂的SnS薄膜,掺杂源有Sb、Sb2O3、Se、Te、In、In2O3、Se和In2O3的混合物.对各种掺杂SnS薄膜的厚度、电流-电压(I-V)特性等进行了表征,并计算了其电阻率和光电导与暗电导的比值(Gphoto/Gdark).结果表明较有效的掺杂源是Sb,Sb掺杂的薄膜电阻率比纯薄膜的电阻率降低四个数量级,Gphoto/Gdark增加约一倍.同时,研究了Sb掺杂量对SnS薄膜电学性能的影响,表明Sb的最佳掺入量约为1.3wt%～1.5wt%.
硫化錫(SnS)具有很高的光吸收繫數和閤適的禁帶寬度,又無毒性,因此在太暘電池等光電器件中具有潛在應用價值.本文用真空蒸髮法製備摻雜的SnS薄膜,摻雜源有Sb、Sb2O3、Se、Te、In、In2O3、Se和In2O3的混閤物.對各種摻雜SnS薄膜的厚度、電流-電壓(I-V)特性等進行瞭錶徵,併計算瞭其電阻率和光電導與暗電導的比值(Gphoto/Gdark).結果錶明較有效的摻雜源是Sb,Sb摻雜的薄膜電阻率比純薄膜的電阻率降低四箇數量級,Gphoto/Gdark增加約一倍.同時,研究瞭Sb摻雜量對SnS薄膜電學性能的影響,錶明Sb的最佳摻入量約為1.3wt%～1.5wt%.
류화석(SnS)구유흔고적광흡수계수화합괄적금대관도,우무독성,인차재태양전지등광전기건중구유잠재응용개치.본문용진공증발법제비참잡적SnS박막,참잡원유Sb、Sb2O3、Se、Te、In、In2O3、Se화In2O3적혼합물.대각충참잡SnS박막적후도、전류-전압(I-V)특성등진행료표정,병계산료기전조솔화광전도여암전도적비치(Gphoto/Gdark).결과표명교유효적참잡원시Sb,Sb참잡적박막전조솔비순박막적전조솔강저사개수량급,Gphoto/Gdark증가약일배.동시,연구료Sb참잡량대SnS박막전학성능적영향,표명Sb적최가참입량약위1.3wt%～1.5wt%.
