纳米技术与精密工程
納米技術與精密工程
납미기술여정밀공정
NANOTECHNOLOGY AND PRECISION ENGINEERING
2008年
4期
249-253
,共5页
吴绍勇%许晓慧%吴亚雷%赵钢%褚家如
吳紹勇%許曉慧%吳亞雷%趙鋼%褚傢如
오소용%허효혜%오아뢰%조강%저가여
超高密度信息存储%压电薄膜%电荷灵敏度%等效横向压电系数
超高密度信息存儲%壓電薄膜%電荷靈敏度%等效橫嚮壓電繫數
초고밀도신식존저%압전박막%전하령민도%등효횡향압전계수
分析了基于原子力显微镜(AFM)探针阵列的超高密度信息存储中压电方式读取纳米数据坑的电荷灵敏度,从探针结构设计的角度指出通过改进上电极钝化层的设计可以使电荷灵敏度提高约 50%;在读取电路中引入直流偏置电压,通过提高锆钛酸铅(PZT)薄膜的等效横向压电系数 d31 进一步提高电荷灵敏度.利用硅片悬臂梁上溶胶.凝胶法制备的PzT薄膜,基于正压电效应实验验证了施加直流偏置电压对d31的提高作用.直流偏压从0 V增加到10 V时,等效横向压电系数d31从-48 pC/N提高到-120 pC/N.
分析瞭基于原子力顯微鏡(AFM)探針陣列的超高密度信息存儲中壓電方式讀取納米數據坑的電荷靈敏度,從探針結構設計的角度指齣通過改進上電極鈍化層的設計可以使電荷靈敏度提高約 50%;在讀取電路中引入直流偏置電壓,通過提高鋯鈦痠鉛(PZT)薄膜的等效橫嚮壓電繫數 d31 進一步提高電荷靈敏度.利用硅片懸臂樑上溶膠.凝膠法製備的PzT薄膜,基于正壓電效應實驗驗證瞭施加直流偏置電壓對d31的提高作用.直流偏壓從0 V增加到10 V時,等效橫嚮壓電繫數d31從-48 pC/N提高到-120 pC/N.
분석료기우원자력현미경(AFM)탐침진렬적초고밀도신식존저중압전방식독취납미수거갱적전하령민도,종탐침결구설계적각도지출통과개진상전겁둔화층적설계가이사전하령민도제고약 50%;재독취전로중인입직류편치전압,통과제고고태산연(PZT)박막적등효횡향압전계수 d31 진일보제고전하령민도.이용규편현비량상용효.응효법제비적PzT박막,기우정압전효응실험험증료시가직류편치전압대d31적제고작용.직류편압종0 V증가도10 V시,등효횡향압전계수d31종-48 pC/N제고도-120 pC/N.
