无机化学学报
無機化學學報
무궤화학학보
JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
2004年
9期
1023-1028
,共6页
林碧洲%裴小科%张进飞%刘培德%吴季怀
林碧洲%裴小科%張進飛%劉培德%吳季懷
림벽주%배소과%장진비%류배덕%오계부
二硫化钼%嵌入化学%单分子层
二硫化鉬%嵌入化學%單分子層
이류화목%감입화학%단분자층
本文测量了表面ζ电位随pH值的变化关系,表明MoS2单分子层表面吸附的是OH-离子,其等电点在pH=2附近.在pH=5～10范围内,ζ电位在-22到-24 mV之间,较为稳定.在pH=7.2条件下,利用MoS2单分子层与钴(Ⅱ)配位阳离子基团反应合成了3个嵌入化合物[Co(H2O)z]y/2MoS2、[Co(bpy)3]y/2MoS2和[Co(phen)3]y/2MoS2.X-射线衍射、元素分析和热重分析研究表明前一个化合物中每10个{MoS2}单元约嵌入一个水合钴离子,层间距增大了0.893 nm,水合钴离子在基体层间按双层错开排列.后两个化合物中每20个{MoS2}单元约嵌入一个钴有机配阳离子,层间距分别增大了0.953和1.018 nm,配位阳离子则单层排列于MoS2基体层间,[Co(bpy)3]2+和[Co(phen)3]2+离子中CoN6配位八面体的三次对称轴近于垂直于MoS2基体层板.
本文測量瞭錶麵ζ電位隨pH值的變化關繫,錶明MoS2單分子層錶麵吸附的是OH-離子,其等電點在pH=2附近.在pH=5～10範圍內,ζ電位在-22到-24 mV之間,較為穩定.在pH=7.2條件下,利用MoS2單分子層與鈷(Ⅱ)配位暘離子基糰反應閤成瞭3箇嵌入化閤物[Co(H2O)z]y/2MoS2、[Co(bpy)3]y/2MoS2和[Co(phen)3]y/2MoS2.X-射線衍射、元素分析和熱重分析研究錶明前一箇化閤物中每10箇{MoS2}單元約嵌入一箇水閤鈷離子,層間距增大瞭0.893 nm,水閤鈷離子在基體層間按雙層錯開排列.後兩箇化閤物中每20箇{MoS2}單元約嵌入一箇鈷有機配暘離子,層間距分彆增大瞭0.953和1.018 nm,配位暘離子則單層排列于MoS2基體層間,[Co(bpy)3]2+和[Co(phen)3]2+離子中CoN6配位八麵體的三次對稱軸近于垂直于MoS2基體層闆.
본문측량료표면ζ전위수pH치적변화관계,표명MoS2단분자층표면흡부적시OH-리자,기등전점재pH=2부근.재pH=5～10범위내,ζ전위재-22도-24 mV지간,교위은정.재pH=7.2조건하,이용MoS2단분자층여고(Ⅱ)배위양리자기단반응합성료3개감입화합물[Co(H2O)z]y/2MoS2、[Co(bpy)3]y/2MoS2화[Co(phen)3]y/2MoS2.X-사선연사、원소분석화열중분석연구표명전일개화합물중매10개{MoS2}단원약감입일개수합고리자,층간거증대료0.893 nm,수합고리자재기체층간안쌍층착개배렬.후량개화합물중매20개{MoS2}단원약감입일개고유궤배양리자,층간거분별증대료0.953화1.018 nm,배위양리자칙단층배렬우MoS2기체층간,[Co(bpy)3]2+화[Co(phen)3]2+리자중CoN6배위팔면체적삼차대칭축근우수직우MoS2기체층판.
