半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
4期
329-332,336
,共5页
大信号模型%人工神经网络%高电子迁移率晶体管%非线性元件
大信號模型%人工神經網絡%高電子遷移率晶體管%非線性元件
대신호모형%인공신경망락%고전자천이솔정체관%비선성원건
运用人工神经网络技术建立了高电子迁移率晶体管(HEMT)的大信号模型.通过脉冲I-V测试和测量不同偏置条件下的S参数,获得了大信号等效电路模型中寄生参数和非线性本征元件的数值.通过BP神经网络,利用偏置相关的非线性元件值作为训练样本,利用误差反向传播的Levenberg-Maquardt方法训练神经网络并得到了网络权重数据.模型中的非线性元件在CAD软件中用神经网络实现,并将权重数据和CAD软件结合进行仿真.测试和仿真结果表明模型具有很高的精度.
運用人工神經網絡技術建立瞭高電子遷移率晶體管(HEMT)的大信號模型.通過脈遲I-V測試和測量不同偏置條件下的S參數,穫得瞭大信號等效電路模型中寄生參數和非線性本徵元件的數值.通過BP神經網絡,利用偏置相關的非線性元件值作為訓練樣本,利用誤差反嚮傳播的Levenberg-Maquardt方法訓練神經網絡併得到瞭網絡權重數據.模型中的非線性元件在CAD軟件中用神經網絡實現,併將權重數據和CAD軟件結閤進行倣真.測試和倣真結果錶明模型具有很高的精度.
운용인공신경망락기술건립료고전자천이솔정체관(HEMT)적대신호모형.통과맥충I-V측시화측량불동편치조건하적S삼수,획득료대신호등효전로모형중기생삼수화비선성본정원건적수치.통과BP신경망락,이용편치상관적비선성원건치작위훈련양본,이용오차반향전파적Levenberg-Maquardt방법훈련신경망락병득도료망락권중수거.모형중적비선성원건재CAD연건중용신경망락실현,병장권중수거화CAD연건결합진행방진.측시화방진결과표명모형구유흔고적정도.
