人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
3期
567-571
,共5页
ZnO纳米线%纳米棒%热蒸发法%光致发光
ZnO納米線%納米棒%熱蒸髮法%光緻髮光
ZnO납미선%납미봉%열증발법%광치발광
使用无催化剂热蒸发法,在ZnO/Si薄膜衬底上制备了ZnO纳米线/纳米棒混合阵列.其中,纳米线的直径为10～20nm,纳米棒的直径为60～160 nn,二者混合在一起垂直生长于衬底表面.从衬底的上游到下游位置,混合,阵列中纳米线的含量逐渐下降,纳米棒逐渐增多.室温光致发光测试发现尺寸较小的纳米线阵列的紫外光发光强度比大尺寸纳米棒阵列高约5倍.持续激发光照射下,纳米线阵列的发光强度逐渐上升,停止光照后又逐渐下降到初始值,这可以用纳米线表面O2分子的解吸附和吸附过程来理解.
使用無催化劑熱蒸髮法,在ZnO/Si薄膜襯底上製備瞭ZnO納米線/納米棒混閤陣列.其中,納米線的直徑為10～20nm,納米棒的直徑為60～160 nn,二者混閤在一起垂直生長于襯底錶麵.從襯底的上遊到下遊位置,混閤,陣列中納米線的含量逐漸下降,納米棒逐漸增多.室溫光緻髮光測試髮現呎吋較小的納米線陣列的紫外光髮光彊度比大呎吋納米棒陣列高約5倍.持續激髮光照射下,納米線陣列的髮光彊度逐漸上升,停止光照後又逐漸下降到初始值,這可以用納米線錶麵O2分子的解吸附和吸附過程來理解.
사용무최화제열증발법,재ZnO/Si박막츤저상제비료ZnO납미선/납미봉혼합진렬.기중,납미선적직경위10～20nm,납미봉적직경위60～160 nn,이자혼합재일기수직생장우츤저표면.종츤저적상유도하유위치,혼합,진렬중납미선적함량축점하강,납미봉축점증다.실온광치발광측시발현척촌교소적납미선진렬적자외광발광강도비대척촌납미봉진렬고약5배.지속격발광조사하,납미선진렬적발광강도축점상승,정지광조후우축점하강도초시치,저가이용납미선표면O2분자적해흡부화흡부과정래리해.
