电镀与涂饰
電鍍與塗飾
전도여도식
ELECTROPLATING & FINISHING
2012年
2期
6-9
,共4页
季春花%凌惠琴%曹海勇%李明%毛大立
季春花%凌惠琴%曹海勇%李明%毛大立
계춘화%릉혜금%조해용%리명%모대립
硅通孔%铜互连%电镀%氯离子%甲基磺酸盐
硅通孔%銅互連%電鍍%氯離子%甲基磺痠鹽
규통공%동호련%전도%록리자%갑기광산염
研究了硅通孔(TSV)镀铜用甲基磺酸铜高速镀液(由Cu(CH3SO3)2 40 g/L、甲基磺酸60 g/L及Cl- 50 mg/L组成)中氯离子的作用机理.采用旋转圆盘电极研究了不同扩散条件下Cl-的作用效果,并采用电化学阻抗谱(EIS)和电子顺磁共振(EPR)探讨了Cl-在铜电化学沉积中的影响机制和对Cu+配位场的影响.结果表明:在深孔内扩散控制条件下,Cl-对铜沉积有明显的加速作用；在表面非扩散控制区域,尤其是高电流密度区,Cl-具有一定的抑制效果.因此,Cl-的存在有利于改善TSV深孔镀铜填充效果,提高填充速率.
研究瞭硅通孔(TSV)鍍銅用甲基磺痠銅高速鍍液(由Cu(CH3SO3)2 40 g/L、甲基磺痠60 g/L及Cl- 50 mg/L組成)中氯離子的作用機理.採用鏇轉圓盤電極研究瞭不同擴散條件下Cl-的作用效果,併採用電化學阻抗譜(EIS)和電子順磁共振(EPR)探討瞭Cl-在銅電化學沉積中的影響機製和對Cu+配位場的影響.結果錶明:在深孔內擴散控製條件下,Cl-對銅沉積有明顯的加速作用；在錶麵非擴散控製區域,尤其是高電流密度區,Cl-具有一定的抑製效果.因此,Cl-的存在有利于改善TSV深孔鍍銅填充效果,提高填充速率.
연구료규통공(TSV)도동용갑기광산동고속도액(유Cu(CH3SO3)2 40 g/L、갑기광산60 g/L급Cl- 50 mg/L조성)중록리자적작용궤리.채용선전원반전겁연구료불동확산조건하Cl-적작용효과,병채용전화학조항보(EIS)화전자순자공진(EPR)탐토료Cl-재동전화학침적중적영향궤제화대Cu+배위장적영향.결과표명:재심공내확산공제조건하,Cl-대동침적유명현적가속작용；재표면비확산공제구역,우기시고전류밀도구,Cl-구유일정적억제효과.인차,Cl-적존재유리우개선TSV심공도동전충효과,제고전충속솔.
