光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2001年
1期
36-38
,共3页
异质结%反向饱和电流密度%退火处理
異質結%反嚮飽和電流密度%退火處理
이질결%반향포화전류밀도%퇴화처리
本文首次报道n-ZnO/p-Si异质结J-V特性实验测量的初步结果--经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级,表明退火改善ZnO/Si晶格界面结构,提高了n-ZnO/p-Si异质结性能.
本文首次報道n-ZnO/p-Si異質結J-V特性實驗測量的初步結果--經退火處理的異質結反嚮飽和電流密度比未經退火的減少一箇數量級,錶明退火改善ZnO/Si晶格界麵結構,提高瞭n-ZnO/p-Si異質結性能.
본문수차보도n-ZnO/p-Si이질결J-V특성실험측량적초보결과--경퇴화처리적이질결반향포화전류밀도비미경퇴화적감소일개수량급,표명퇴화개선ZnO/Si정격계면결구,제고료n-ZnO/p-Si이질결성능.
