电子产品可靠性与环境试验
電子產品可靠性與環境試驗
전자산품가고성여배경시험
ELECTRONIC PRODUCT RELIABILITY AND ENVIRONMENTAL TESTING
2005年
6期
32-35
,共4页
朱炜容%黄云%黄美浅%钮利荣
硃煒容%黃雲%黃美淺%鈕利榮
주위용%황운%황미천%뉴리영
砷化镓%金属-半导体场效应晶体管%热电子效应%界面态%退化
砷化鎵%金屬-半導體場效應晶體管%熱電子效應%界麵態%退化
신화가%금속-반도체장효응정체관%열전자효응%계면태%퇴화
进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤VDS≤28V,-5.5V≤VCS≤-4 V的应力条件下,热电子效应将导致GaAs MESFET直流参数的严重退化.退化模式主要表现为饱和漏电流IDSS减小,跨导gm减小,夹断电压V.增大,击穿电压增大.从微波性能方面来看,热电子效应器件的输出功率增益大幅度下降.退化机理主要是栅漏区表面及栅边缘俘获负电荷.
進行GaAs MESFET的熱電子應力試驗,在24V≤VDS≤28V,-5.5V≤VCS≤-4 V的應力條件下,熱電子效應將導緻GaAs MESFET直流參數的嚴重退化.退化模式主要錶現為飽和漏電流IDSS減小,跨導gm減小,夾斷電壓V.增大,擊穿電壓增大.從微波性能方麵來看,熱電子效應器件的輸齣功率增益大幅度下降.退化機理主要是柵漏區錶麵及柵邊緣俘穫負電荷.
진행GaAs MESFET적열전자응력시험,재24V≤VDS≤28V,-5.5V≤VCS≤-4 V적응력조건하,열전자효응장도치GaAs MESFET직류삼수적엄중퇴화.퇴화모식주요표현위포화루전류IDSS감소,과도gm감소,협단전압V.증대,격천전압증대.종미파성능방면래간,열전자효응기건적수출공솔증익대폭도하강.퇴화궤리주요시책루구표면급책변연부획부전하.
