微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2007年
12期
217-220
,共4页
张兢%林映嫣%沈绪榜%刘三清
張兢%林映嫣%瀋緒榜%劉三清
장긍%림영언%침서방%류삼청
带隙基准%BiCMOS%商精度%温度系数
帶隙基準%BiCMOS%商精度%溫度繫數
대극기준%BiCMOS%상정도%온도계수
在对传统带隙基准源的误差进行分析的基础上,介绍了一种改进的带隙核结构,该结构能有效抑制电流失配对带隙基准电压带来的影响.根据该结构设计了一种高精度BiCMOS带隙基准源.HSPICE仿真结果表明,该带隙基准源产生1.22V基准电压,在-25℃～+125℃温度范围内具有3.1×10-6/℃的温度系数.在25℃时和3.6v标准电源电压条件下,电源抑制比达76dB,静态工作电流为6.9μA,在2.7V～6V的电源电压范围内线性调整率为0.142mW/V.
在對傳統帶隙基準源的誤差進行分析的基礎上,介紹瞭一種改進的帶隙覈結構,該結構能有效抑製電流失配對帶隙基準電壓帶來的影響.根據該結構設計瞭一種高精度BiCMOS帶隙基準源.HSPICE倣真結果錶明,該帶隙基準源產生1.22V基準電壓,在-25℃～+125℃溫度範圍內具有3.1×10-6/℃的溫度繫數.在25℃時和3.6v標準電源電壓條件下,電源抑製比達76dB,靜態工作電流為6.9μA,在2.7V～6V的電源電壓範圍內線性調整率為0.142mW/V.
재대전통대극기준원적오차진행분석적기출상,개소료일충개진적대극핵결구,해결구능유효억제전류실배대대극기준전압대래적영향.근거해결구설계료일충고정도BiCMOS대극기준원.HSPICE방진결과표명,해대극기준원산생1.22V기준전압,재-25℃～+125℃온도범위내구유3.1×10-6/℃적온도계수.재25℃시화3.6v표준전원전압조건하,전원억제비체76dB,정태공작전류위6.9μA,재2.7V～6V적전원전압범위내선성조정솔위0.142mW/V.
