物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2008年
2期
313-316
,共4页
杨昊炜%张璋%段晓楠%俞宏坤%金庆原
楊昊煒%張璋%段曉楠%俞宏坤%金慶原
양호위%장장%단효남%유굉곤%금경원
多孔氧化铝膜%硅基%超薄%生长机理
多孔氧化鋁膜%硅基%超薄%生長機理
다공양화려막%규기%초박%생장궤리
将二次阳极氧化法应用于硅基铝膜的制备,在草酸溶液中得到了厚度可控的硅基超薄多孔氧化铝膜(PAM),厚度小于100 nm.实验中记录了氧化电流随时间的实时变化曲线,发现硅衬底的氧化电流在大幅下降前有一小幅波动.对应于Al/Si界面的氧化过程中,孔洞底部之间的残留铝岛被优先氧化,可将此作为终止铅氧化的标志.扫描电镜(SEM)观察表明,二次氧化提高了孔洞分布的均匀性,使得孔在一定的区域内呈现有序六角分布.这种模板可进一步用于硅基纳米器件和纳米结构的制备.
將二次暘極氧化法應用于硅基鋁膜的製備,在草痠溶液中得到瞭厚度可控的硅基超薄多孔氧化鋁膜(PAM),厚度小于100 nm.實驗中記錄瞭氧化電流隨時間的實時變化麯線,髮現硅襯底的氧化電流在大幅下降前有一小幅波動.對應于Al/Si界麵的氧化過程中,孔洞底部之間的殘留鋁島被優先氧化,可將此作為終止鉛氧化的標誌.掃描電鏡(SEM)觀察錶明,二次氧化提高瞭孔洞分佈的均勻性,使得孔在一定的區域內呈現有序六角分佈.這種模闆可進一步用于硅基納米器件和納米結構的製備.
장이차양겁양화법응용우규기려막적제비,재초산용액중득도료후도가공적규기초박다공양화려막(PAM),후도소우100 nm.실험중기록료양화전류수시간적실시변화곡선,발현규츤저적양화전류재대폭하강전유일소폭파동.대응우Al/Si계면적양화과정중,공동저부지간적잔류려도피우선양화,가장차작위종지연양화적표지.소묘전경(SEM)관찰표명,이차양화제고료공동분포적균균성,사득공재일정적구역내정현유서륙각분포.저충모판가진일보용우규기납미기건화납미결구적제비.
