西安电子科技大学学报（自然科学版）
西安電子科技大學學報（自然科學版）
서안전자과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2008年
3期
513-516
,共4页
二氧化铪%C-V特性%界面态%氧化层陷阱
二氧化鉿%C-V特性%界麵態%氧化層陷阱
이양화협%C-V특성%계면태%양화층함정
对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究,理论分析的界面态分布与实验结果吻合.利用高频C-V法计算了平带电压漂移量、氧化层内陷阱电荷密度和界面态密度,比较了不同工艺条件下样品的电参数.结果表明NH4F表面预处理和高温退火新型工艺可以显著降低界面态和氧化层陷阱电荷,从而降低栅极漏电流.
對結閤NH4F錶麵預處理和高溫退火新型工藝製作的超薄HfO2柵介質MOS電容的C-V特性進行瞭模擬倣真和實驗研究,理論分析的界麵態分佈與實驗結果吻閤.利用高頻C-V法計算瞭平帶電壓漂移量、氧化層內陷阱電荷密度和界麵態密度,比較瞭不同工藝條件下樣品的電參數.結果錶明NH4F錶麵預處理和高溫退火新型工藝可以顯著降低界麵態和氧化層陷阱電荷,從而降低柵極漏電流.
대결합NH4F표면예처리화고온퇴화신형공예제작적초박HfO2책개질MOS전용적C-V특성진행료모의방진화실험연구,이론분석적계면태분포여실험결과문합.이용고빈C-V법계산료평대전압표이량、양화층내함정전하밀도화계면태밀도,비교료불동공예조건하양품적전삼수.결과표명NH4F표면예처리화고온퇴화신형공예가이현저강저계면태화양화층함정전하,종이강저책겁루전류.
