化工新型材料
化工新型材料
화공신형재료
NEW CHEMICAL MATERIALS
2011年
3期
42-43,60
,共3页
贾会敏%陈雪武%雷岩%张文涵%李静%郑直
賈會敏%陳雪武%雷巖%張文涵%李靜%鄭直
가회민%진설무%뢰암%장문함%리정%정직
CdSe纳米晶%苄胺%溶剂热%光电化学性能
CdSe納米晶%芐胺%溶劑熱%光電化學性能
CdSe납미정%변알%용제열%광전화학성능
以CdCl2.2.5H2O为镉源,以Se粉为硒源,在苄胺体系中,180℃溶荆热条件下制备了CdSe纳米晶薄膜.并用XRD、SEM、TEM、UV-vis等对产物进行了一系列的表征,结果表明在该条件下可以得到粒径在10～20nm、较为均匀的CdSe纳米晶薄膜.同时在标准的三电极体系下,测试了CdSe纳米晶薄膜电极的光电化学性能.在光强32mW/cm2的模拟太阳光的照射下,该电极的开路电压(Voc)为0.395V,光电流密度(Isc)为0.951mA/cm2,填充因子(FF)为0.51,该电池的光电转化效率η为0.6%.
以CdCl2.2.5H2O為鎘源,以Se粉為硒源,在芐胺體繫中,180℃溶荊熱條件下製備瞭CdSe納米晶薄膜.併用XRD、SEM、TEM、UV-vis等對產物進行瞭一繫列的錶徵,結果錶明在該條件下可以得到粒徑在10～20nm、較為均勻的CdSe納米晶薄膜.同時在標準的三電極體繫下,測試瞭CdSe納米晶薄膜電極的光電化學性能.在光彊32mW/cm2的模擬太暘光的照射下,該電極的開路電壓(Voc)為0.395V,光電流密度(Isc)為0.951mA/cm2,填充因子(FF)為0.51,該電池的光電轉化效率η為0.6%.
이CdCl2.2.5H2O위력원,이Se분위서원,재변알체계중,180℃용형열조건하제비료CdSe납미정박막.병용XRD、SEM、TEM、UV-vis등대산물진행료일계렬적표정,결과표명재해조건하가이득도립경재10～20nm、교위균균적CdSe납미정박막.동시재표준적삼전겁체계하,측시료CdSe납미정박막전겁적광전화학성능.재광강32mW/cm2적모의태양광적조사하,해전겁적개로전압(Voc)위0.395V,광전류밀도(Isc)위0.951mA/cm2,전충인자(FF)위0.51,해전지적광전전화효솔η위0.6%.
