人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
1期
120-124
,共5页
马蕾%郭延岭%娄建忠%彭英才
馬蕾%郭延嶺%婁建忠%彭英纔
마뢰%곽연령%루건충%팽영재
多晶Si薄膜%Si纳米线%退火温度%生长时间%光致发光
多晶Si薄膜%Si納米線%退火溫度%生長時間%光緻髮光
다정Si박막%Si납미선%퇴화온도%생장시간%광치발광
以Au膜作为催化剂和大晶粒多晶Si薄膜为衬底,利用固-液-固生长机制,制备出直径在30～ 100 nm和长度为几百微米的高密度Si纳米线.实验研究了退火温度、生长时间和N2流量对Si纳米线生长的影响.结果表明,随着退火温度的升高,生长时间的延长和N2流量的增加,Si纳米线的长度和密度都显著增加.对不同生长时间下获得的Si纳米线样品进行了X射线衍射测量,结果显示随着生长时间的延长,多晶Si薄膜和表面的Au膜成分都在减少.光致发光谱则显示出弱的蓝光发射和强的红光发射特性,前者应是由非晶SiOx壳层中的氧空位发光中心引起,后者则应归因于Si纳米线芯部与非晶SiOx壳层之间界面区域附近中的Si =O双键态或非桥键氧缺陷中心.
以Au膜作為催化劑和大晶粒多晶Si薄膜為襯底,利用固-液-固生長機製,製備齣直徑在30～ 100 nm和長度為幾百微米的高密度Si納米線.實驗研究瞭退火溫度、生長時間和N2流量對Si納米線生長的影響.結果錶明,隨著退火溫度的升高,生長時間的延長和N2流量的增加,Si納米線的長度和密度都顯著增加.對不同生長時間下穫得的Si納米線樣品進行瞭X射線衍射測量,結果顯示隨著生長時間的延長,多晶Si薄膜和錶麵的Au膜成分都在減少.光緻髮光譜則顯示齣弱的藍光髮射和彊的紅光髮射特性,前者應是由非晶SiOx殼層中的氧空位髮光中心引起,後者則應歸因于Si納米線芯部與非晶SiOx殼層之間界麵區域附近中的Si =O雙鍵態或非橋鍵氧缺陷中心.
이Au막작위최화제화대정립다정Si박막위츤저,이용고-액-고생장궤제,제비출직경재30～ 100 nm화장도위궤백미미적고밀도Si납미선.실험연구료퇴화온도、생장시간화N2류량대Si납미선생장적영향.결과표명,수착퇴화온도적승고,생장시간적연장화N2류량적증가,Si납미선적장도화밀도도현저증가.대불동생장시간하획득적Si납미선양품진행료X사선연사측량,결과현시수착생장시간적연장,다정Si박막화표면적Au막성분도재감소.광치발광보칙현시출약적람광발사화강적홍광발사특성,전자응시유비정SiOx각층중적양공위발광중심인기,후자칙응귀인우Si납미선심부여비정SiOx각층지간계면구역부근중적Si =O쌍건태혹비교건양결함중심.
