原子核物理评论
原子覈物理評論
원자핵물리평론
Nuclear Physics Review
2002年
z1期
102-105
,共4页
化学吸附%钝化%超级原胞%相互作用
化學吸附%鈍化%超級原胞%相互作用
화학흡부%둔화%초급원포%상호작용
用TB-LMTO方法研究单层的S原子在理想的GaAs (100) 表面的化学吸附, 对GaAs(100)表面是Ga-和As-中断两种情况分别进行考虑. 计算了S原子在不同位置的吸附能、吸附体系与清洁的GaAs(100)表面的层投影态密度, 以及电子转移情况. 结果表明, 两种情况下S原子都是桥位吸附最稳定, S-Ga相互作用比S-As稍强, S钝化GaAs(100)表面可以取得明显的钝化效果.
用TB-LMTO方法研究單層的S原子在理想的GaAs (100) 錶麵的化學吸附, 對GaAs(100)錶麵是Ga-和As-中斷兩種情況分彆進行攷慮. 計算瞭S原子在不同位置的吸附能、吸附體繫與清潔的GaAs(100)錶麵的層投影態密度, 以及電子轉移情況. 結果錶明, 兩種情況下S原子都是橋位吸附最穩定, S-Ga相互作用比S-As稍彊, S鈍化GaAs(100)錶麵可以取得明顯的鈍化效果.
용TB-LMTO방법연구단층적S원자재이상적GaAs (100) 표면적화학흡부, 대GaAs(100)표면시Ga-화As-중단량충정황분별진행고필. 계산료S원자재불동위치적흡부능、흡부체계여청길적GaAs(100)표면적층투영태밀도, 이급전자전이정황. 결과표명, 량충정황하S원자도시교위흡부최은정, S-Ga상호작용비S-As초강, S둔화GaAs(100)표면가이취득명현적둔화효과.
