真空与低温
真空與低溫
진공여저온
VACUUM AND CRYOGENICS
2006年
3期
137-141
,共5页
曹博%包良满%李公平%何山虎
曹博%包良滿%李公平%何山虎
조박%포량만%리공평%하산호
薄膜%扩散%界面反应%硅化物
薄膜%擴散%界麵反應%硅化物
박막%확산%계면반응%규화물
室温下,利用磁控溅射方法在P型Si(100)衬底上沉积了铜(Cu)膜.采用X射线衍射(XRD)和卢瑟福背散射(RBS)分析了未退火以及在不同温度点退火后的样品,研究了Cu/SiO3/Si(100)体系的扩散和界面反应.RBS分析得出:对于Cu/SiO2/Si(100)体系,当退火温度高于350℃时,才产生明显的扩散,并且随着温度的升高,体系扩散越明显;当退火温度在450℃以下时,XRD没有测得铜硅化合物生成;当温度到500℃时才有铜硅化合物生成.这比已有文献报道的温度低.
室溫下,利用磁控濺射方法在P型Si(100)襯底上沉積瞭銅(Cu)膜.採用X射線衍射(XRD)和盧瑟福揹散射(RBS)分析瞭未退火以及在不同溫度點退火後的樣品,研究瞭Cu/SiO3/Si(100)體繫的擴散和界麵反應.RBS分析得齣:對于Cu/SiO2/Si(100)體繫,噹退火溫度高于350℃時,纔產生明顯的擴散,併且隨著溫度的升高,體繫擴散越明顯;噹退火溫度在450℃以下時,XRD沒有測得銅硅化閤物生成;噹溫度到500℃時纔有銅硅化閤物生成.這比已有文獻報道的溫度低.
실온하,이용자공천사방법재P형Si(100)츤저상침적료동(Cu)막.채용X사선연사(XRD)화로슬복배산사(RBS)분석료미퇴화이급재불동온도점퇴화후적양품,연구료Cu/SiO3/Si(100)체계적확산화계면반응.RBS분석득출:대우Cu/SiO2/Si(100)체계,당퇴화온도고우350℃시,재산생명현적확산,병차수착온도적승고,체계확산월명현;당퇴화온도재450℃이하시,XRD몰유측득동규화합물생성;당온도도500℃시재유동규화합물생성.저비이유문헌보도적온도저.
