1.55 μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器
1.55 μm저온생장GaAs해진강증강형탐측기
1.55 μm Low-temperature-grown GaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetector
  • 万方数据
    光子学报 광자학보
    ACTA PHOTONICA SINICA
    2006年 4期 549-551 ,共3页

    韩勤%彭红玲%杜云%倪海桥%赵欢%牛智川%吴荣汉

    한근%팽홍령%두운%예해교%조환%우지천%오영한

    探测器%LT-GaAs%谐振腔增强%分布布喇格反射镜 探測器%LT-GaAs%諧振腔增彊%分佈佈喇格反射鏡
    탐측기%LT-GaAs%해진강증강%분포포나격반사경
    利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55 μm谐振腔增强型(RCE) 光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究.无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563 nm;响应谱线半宽4 nm, 具有良好的波长选择性.
    이용저온(200℃)생장적GaAs재료작위흡수층제비료GaAs기1.55 μm해진강증강형(RCE) 광전탐측기,대기광전특성진행료분석、연구.무광조0편압하탐측기암전류위8.0×10-12A;광전류보봉치파장1563 nm;향응보선반관4 nm, 구유량호적파장선택성.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문