电镀与涂饰
電鍍與塗飾
전도여도식
ELECTROPLATING & FINISHING
2006年
12期
14-17
,共4页
刘伟星%姚素薇%张卫国%韩玉鑫
劉偉星%姚素薇%張衛國%韓玉鑫
류위성%요소미%장위국%한옥흠
电沉积%氧化镍纳米线%光电性能%光电压%面心立方%晶粒尺寸
電沉積%氧化鎳納米線%光電性能%光電壓%麵心立方%晶粒呎吋
전침적%양화얼납미선%광전성능%광전압%면심립방%정립척촌
通过电沉积法在阳极氧化铝(AAO)模板内制备了镍纳米线,然后在800℃下氧化8 h得到NiO纳米线.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对NiO纳米线的组成、结构和形貌进行了表征,并测试了NiO/AAO阵列体系的光电压.测试结果表明:NiO纳米线为面心立方结构,平均晶粒尺寸为50 nm,纳米线直径约90nm,与模板孔径相当;长度约为25 μm,并受镍纳米线沉积时间的影响;在紫外灯(365 nm)照射下,40V比60V NiO/AAO阵列体系的光电压大.
通過電沉積法在暘極氧化鋁(AAO)模闆內製備瞭鎳納米線,然後在800℃下氧化8 h得到NiO納米線.利用X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)對NiO納米線的組成、結構和形貌進行瞭錶徵,併測試瞭NiO/AAO陣列體繫的光電壓.測試結果錶明:NiO納米線為麵心立方結構,平均晶粒呎吋為50 nm,納米線直徑約90nm,與模闆孔徑相噹;長度約為25 μm,併受鎳納米線沉積時間的影響;在紫外燈(365 nm)照射下,40V比60V NiO/AAO陣列體繫的光電壓大.
통과전침적법재양겁양화려(AAO)모판내제비료얼납미선,연후재800℃하양화8 h득도NiO납미선.이용X사선연사(XRD)、원자력현미경(AFM)화소묘전자현미경(SEM)대NiO납미선적조성、결구화형모진행료표정,병측시료NiO/AAO진렬체계적광전압.측시결과표명:NiO납미선위면심립방결구,평균정립척촌위50 nm,납미선직경약90nm,여모판공경상당;장도약위25 μm,병수얼납미선침적시간적영향;재자외등(365 nm)조사하,40V비60V NiO/AAO진렬체계적광전압대.
