人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2007年
1期
18-21
,共4页
LBO晶体%化学机械抛光%超光滑表面%抛光机理%材料去除
LBO晶體%化學機械拋光%超光滑錶麵%拋光機理%材料去除
LBO정체%화학궤계포광%초광활표면%포광궤리%재료거제
胶体SiO2抛光LBO晶体获得无损伤的超光滑表面,结合前人对抛光机理的认识,探讨了超光滑表面抛光的材料去除机理,分析了化学机械抛光中的原子级材料去除机理.在此基础上,对胶体SiO2抛光LBO晶体表面材料去除机理和超光滑表面的形成进行了详细的描述,研究抛光液的pH值与材料去除率和表面粗糙度的关系.LBO晶体超光滑表面抛光的材料去除机理是抛光液与晶体表面的活泼原子层发生化学反应形成过渡的软质层,软质层在磨料和抛光盘的作用下很容易被无损伤的去除.酸性条件下,随抛光液pH值的减小抛光材料的去除率增大;抛光液pH值为4时,获得最好的表面粗糙度.
膠體SiO2拋光LBO晶體穫得無損傷的超光滑錶麵,結閤前人對拋光機理的認識,探討瞭超光滑錶麵拋光的材料去除機理,分析瞭化學機械拋光中的原子級材料去除機理.在此基礎上,對膠體SiO2拋光LBO晶體錶麵材料去除機理和超光滑錶麵的形成進行瞭詳細的描述,研究拋光液的pH值與材料去除率和錶麵粗糙度的關繫.LBO晶體超光滑錶麵拋光的材料去除機理是拋光液與晶體錶麵的活潑原子層髮生化學反應形成過渡的軟質層,軟質層在磨料和拋光盤的作用下很容易被無損傷的去除.痠性條件下,隨拋光液pH值的減小拋光材料的去除率增大;拋光液pH值為4時,穫得最好的錶麵粗糙度.
효체SiO2포광LBO정체획득무손상적초광활표면,결합전인대포광궤리적인식,탐토료초광활표면포광적재료거제궤리,분석료화학궤계포광중적원자급재료거제궤리.재차기출상,대효체SiO2포광LBO정체표면재료거제궤리화초광활표면적형성진행료상세적묘술,연구포광액적pH치여재료거제솔화표면조조도적관계.LBO정체초광활표면포광적재료거제궤리시포광액여정체표면적활발원자층발생화학반응형성과도적연질층,연질층재마료화포광반적작용하흔용역피무손상적거제.산성조건하,수포광액pH치적감소포광재료적거제솔증대;포광액pH치위4시,획득최호적표면조조도.
