物理学报
物理學報
물이학보
2007年
3期
1790-1795
,共6页
李金华%袁宁一%谢太斌%但迪迪
李金華%袁寧一%謝太斌%但迪迪
리금화%원저일%사태빈%단적적
二氧化钒薄膜%薄膜掺杂%离子束增强沉积
二氧化釩薄膜%薄膜摻雜%離子束增彊沉積
이양화범박막%박막참잡%리자속증강침적
将V2O5粉体与WO3粉体均匀混合并压制成靶,用离子束增强沉积加后退火技术在SiO2衬底上制备掺钨VO2多晶薄膜.X射线衍射表明,薄膜取向单一,为VO2结构的[002]相,晶格参数d比VO2粉晶增大约0.34%;薄膜从半导体相向金属相转变的相变温度约28℃;室温(300 K)时的电阻.温度系数(TCR)可大于10%/K,是目前红外热成像薄膜TCR的四倍.W离子的半径大于V离子的半径,W的掺入在薄膜中引入了张应力,使薄膜相变温度降低到室温附近,是IBED V0.97W0.03O2薄膜的室温电阻温度系数提高的原因.
將V2O5粉體與WO3粉體均勻混閤併壓製成靶,用離子束增彊沉積加後退火技術在SiO2襯底上製備摻鎢VO2多晶薄膜.X射線衍射錶明,薄膜取嚮單一,為VO2結構的[002]相,晶格參數d比VO2粉晶增大約0.34%;薄膜從半導體相嚮金屬相轉變的相變溫度約28℃;室溫(300 K)時的電阻.溫度繫數(TCR)可大于10%/K,是目前紅外熱成像薄膜TCR的四倍.W離子的半徑大于V離子的半徑,W的摻入在薄膜中引入瞭張應力,使薄膜相變溫度降低到室溫附近,是IBED V0.97W0.03O2薄膜的室溫電阻溫度繫數提高的原因.
장V2O5분체여WO3분체균균혼합병압제성파,용리자속증강침적가후퇴화기술재SiO2츤저상제비참오VO2다정박막.X사선연사표명,박막취향단일,위VO2결구적[002]상,정격삼수d비VO2분정증대약0.34%;박막종반도체상향금속상전변적상변온도약28℃;실온(300 K)시적전조.온도계수(TCR)가대우10%/K,시목전홍외열성상박막TCR적사배.W리자적반경대우V리자적반경,W적참입재박막중인입료장응력,사박막상변온도강저도실온부근,시IBED V0.97W0.03O2박막적실온전조온도계수제고적원인.
