半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
10期
999-1002
,共4页
矫逸书%周玉梅%蒋见花%吴斌
矯逸書%週玉梅%蔣見花%吳斌
교일서%주옥매%장견화%오빈
相位插值器%时钟数据恢复%多相位时钟%数据速率
相位插值器%時鐘數據恢複%多相位時鐘%數據速率
상위삽치기%시종수거회복%다상위시종%수거속솔
通过对相位插值器电路进行建模分析,得到了相位插值器的线性度与输入信号之间相位差、输入信号上升时间和输出节点时间常数的关系.根据分析得到的结论,提出了一种新型的应用于连续数据速率时钟数据恢复电路的相位插值器,通过在相位插值器之前插入延时可控的缓冲器,使其输入信号的上升时间可以跟踪数据速率的改变,在保证线性度的同时,降低电路的噪声敏感度和功耗.芯片采用Charlerd 0.13 μm低功耗1.5/3.3 V工艺流片验证,面积为0.02 mm2,数据速率3.125 Gb/s时,功耗为8.5 mW.
通過對相位插值器電路進行建模分析,得到瞭相位插值器的線性度與輸入信號之間相位差、輸入信號上升時間和輸齣節點時間常數的關繫.根據分析得到的結論,提齣瞭一種新型的應用于連續數據速率時鐘數據恢複電路的相位插值器,通過在相位插值器之前插入延時可控的緩遲器,使其輸入信號的上升時間可以跟蹤數據速率的改變,在保證線性度的同時,降低電路的譟聲敏感度和功耗.芯片採用Charlerd 0.13 μm低功耗1.5/3.3 V工藝流片驗證,麵積為0.02 mm2,數據速率3.125 Gb/s時,功耗為8.5 mW.
통과대상위삽치기전로진행건모분석,득도료상위삽치기적선성도여수입신호지간상위차、수입신호상승시간화수출절점시간상수적관계.근거분석득도적결론,제출료일충신형적응용우련속수거속솔시종수거회복전로적상위삽치기,통과재상위삽치기지전삽입연시가공적완충기,사기수입신호적상승시간가이근종수거속솔적개변,재보증선성도적동시,강저전로적조성민감도화공모.심편채용Charlerd 0.13 μm저공모1.5/3.3 V공예류편험증,면적위0.02 mm2,수거속솔3.125 Gb/s시,공모위8.5 mW.
