红外技术
紅外技術
홍외기술
INFRARED TECHNOLOGY
2011年
6期
332-335
,共4页
高频%王晓晖%杜玉杰%李彪%付晓倩
高頻%王曉暉%杜玉傑%李彪%付曉倩
고빈%왕효휘%두옥걸%리표%부효천
GaN光电阴极%NEA%制备工艺
GaN光電陰極%NEA%製備工藝
GaN광전음겁%NEA%제비공예
对GaN的结构性质进行了介绍,研究了NEAGaN光电阴极的制备方法,利用MOCVD生长了P型掺杂浓度为1.6×1017cm-3发射层厚度150 am的GaN样品,在进行了GaN表面净化处理得到原子级清洁表面后,在超高真空系统中对GaN光电阴极进行了Cs/O激活,获得了NEAGaN光电阴极.利用实验室制备的多信息量测试系统对成功激活后的NEAGaN光电阴极进行了评估,结果显示:NEAGaN光电阴极的反射式量子效率达到了30%,透射式量子效率达到了12%.
對GaN的結構性質進行瞭介紹,研究瞭NEAGaN光電陰極的製備方法,利用MOCVD生長瞭P型摻雜濃度為1.6×1017cm-3髮射層厚度150 am的GaN樣品,在進行瞭GaN錶麵淨化處理得到原子級清潔錶麵後,在超高真空繫統中對GaN光電陰極進行瞭Cs/O激活,穫得瞭NEAGaN光電陰極.利用實驗室製備的多信息量測試繫統對成功激活後的NEAGaN光電陰極進行瞭評估,結果顯示:NEAGaN光電陰極的反射式量子效率達到瞭30%,透射式量子效率達到瞭12%.
대GaN적결구성질진행료개소,연구료NEAGaN광전음겁적제비방법,이용MOCVD생장료P형참잡농도위1.6×1017cm-3발사층후도150 am적GaN양품,재진행료GaN표면정화처리득도원자급청길표면후,재초고진공계통중대GaN광전음겁진행료Cs/O격활,획득료NEAGaN광전음겁.이용실험실제비적다신식량측시계통대성공격활후적NEAGaN광전음겁진행료평고,결과현시:NEAGaN광전음겁적반사식양자효솔체도료30%,투사식양자효솔체도료12%.
