微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
6期
365-369,394
,共6页
商世广%赵玲%高明琪%刘卫华%赵萍
商世廣%趙玲%高明琪%劉衛華%趙萍
상세엄%조령%고명기%류위화%조평
碳纳米管%丝网印刷%双层掺混%场发射%阴极薄膜
碳納米管%絲網印刷%雙層摻混%場髮射%陰極薄膜
탄납미관%사망인쇄%쌍층참혼%장발사%음겁박막
针对单层掺混结构改善丝网印刷碳纳米管(CNT)薄膜场发射性能的局限性,提出了一种能有效改善CNT薄膜场发射性能的双层掺混结构.相比传统单层掺混结构的CNT阴极薄膜,双层掺混薄膜中上层TiO2介质掺混结构能有效提高CNT的增强因子,下层导电纳米钛粉掺混结构能降低CNT与衬底电极间的接触电阻、提高CNT导电网络的电子传输能力.场发射I-V特性测试表明,当CNT和钛的掺混质量比为1:1且氮气中预烧温度为450℃时,双层掺混结构CNT薄膜的开启场强为1.53 V/μm,电流密度在场强为2.0 V/μm时达79.5μA/cm2.该方法为改善丝网印刷CNT薄膜的场发射性能提供了一种可行方案.
針對單層摻混結構改善絲網印刷碳納米管(CNT)薄膜場髮射性能的跼限性,提齣瞭一種能有效改善CNT薄膜場髮射性能的雙層摻混結構.相比傳統單層摻混結構的CNT陰極薄膜,雙層摻混薄膜中上層TiO2介質摻混結構能有效提高CNT的增彊因子,下層導電納米鈦粉摻混結構能降低CNT與襯底電極間的接觸電阻、提高CNT導電網絡的電子傳輸能力.場髮射I-V特性測試錶明,噹CNT和鈦的摻混質量比為1:1且氮氣中預燒溫度為450℃時,雙層摻混結構CNT薄膜的開啟場彊為1.53 V/μm,電流密度在場彊為2.0 V/μm時達79.5μA/cm2.該方法為改善絲網印刷CNT薄膜的場髮射性能提供瞭一種可行方案.
침대단층참혼결구개선사망인쇄탄납미관(CNT)박막장발사성능적국한성,제출료일충능유효개선CNT박막장발사성능적쌍층참혼결구.상비전통단층참혼결구적CNT음겁박막,쌍층참혼박막중상층TiO2개질참혼결구능유효제고CNT적증강인자,하층도전납미태분참혼결구능강저CNT여츤저전겁간적접촉전조、제고CNT도전망락적전자전수능력.장발사I-V특성측시표명,당CNT화태적참혼질량비위1:1차담기중예소온도위450℃시,쌍층참혼결구CNT박막적개계장강위1.53 V/μm,전류밀도재장강위2.0 V/μm시체79.5μA/cm2.해방법위개선사망인쇄CNT박막적장발사성능제공료일충가행방안.
