郑州大学学报（理学版）
鄭州大學學報（理學版）
정주대학학보（이학판）
JOURNAL OF ZHENGZHOU UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2011年
3期
87-90
,共4页
程萍%田永涛%王文闯%徐玉睿%何豪%王新昌%李新建
程萍%田永濤%王文闖%徐玉睿%何豪%王新昌%李新建
정평%전영도%왕문틈%서옥예%하호%왕신창%리신건
ZnO阵列%异质结%CVD法%整流%理想因子
ZnO陣列%異質結%CVD法%整流%理想因子
ZnO진렬%이질결%CVD법%정류%이상인자
利用化学汽相沉积,在没有催化剂的p-Si衬底上一步合成ZnO纳米线阵列,构成ZnO阵列/p-Si异质结.电流-电压性能测试显示该结构具有较好的整流特性,漏电流较小,4 V时约为0.05mA.异质结理想因子偏高,1.86(0.5～2.25 V)和5.92(在2.25～2.7 V),主要原因可能ZnO纳米线阵列底与Si之间存在较高的缺陷密度.提供了一种简单的合成ZnO阵列/p-Si异质结方法,不需要在Si衬底上预先合成ZnO缓冲层和催化剂,同时结构具有较好整流性能,对ZnO器件的设计合成及应用有一定的参考价值.
利用化學汽相沉積,在沒有催化劑的p-Si襯底上一步閤成ZnO納米線陣列,構成ZnO陣列/p-Si異質結.電流-電壓性能測試顯示該結構具有較好的整流特性,漏電流較小,4 V時約為0.05mA.異質結理想因子偏高,1.86(0.5～2.25 V)和5.92(在2.25～2.7 V),主要原因可能ZnO納米線陣列底與Si之間存在較高的缺陷密度.提供瞭一種簡單的閤成ZnO陣列/p-Si異質結方法,不需要在Si襯底上預先閤成ZnO緩遲層和催化劑,同時結構具有較好整流性能,對ZnO器件的設計閤成及應用有一定的參攷價值.
이용화학기상침적,재몰유최화제적p-Si츤저상일보합성ZnO납미선진렬,구성ZnO진렬/p-Si이질결.전류-전압성능측시현시해결구구유교호적정류특성,루전류교소,4 V시약위0.05mA.이질결이상인자편고,1.86(0.5～2.25 V)화5.92(재2.25～2.7 V),주요원인가능ZnO납미선진렬저여Si지간존재교고적결함밀도.제공료일충간단적합성ZnO진렬/p-Si이질결방법,불수요재Si츤저상예선합성ZnO완충층화최화제,동시결구구유교호정류성능,대ZnO기건적설계합성급응용유일정적삼고개치.
