新型( Yb3+,La3+)∶Gd2SiO5和(Yb3+,Tb3+)∶GdTaO4单晶生长及分凝研究
신형( Yb3+,La3+)∶Gd2SiO5화(Yb3+,Tb3+)∶GdTaO4단정생장급분응연구
Growth of ( Yb3 +, La3 + ) ∶ Gd2SiO5 and ( Yb3 + , Tb3 + ) ∶ GdTaO4 Single Crystal and Study on Its Doped Ions Segregation Coefficient
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2011年 4期 817-821,827 ,共6页

    宁凯杰%张庆礼%孙敦陆%殷绍唐

    저개걸%장경례%손돈륙%은소당

    (Yb3+,La3+)∶Gd2SiO5%( Yb3+,Tb3+)∶GdTaO4%晶体生长%有效分凝系数 (Yb3+,La3+)∶Gd2SiO5%( Yb3+,Tb3+)∶GdTaO4%晶體生長%有效分凝繫數
    (Yb3+,La3+)∶Gd2SiO5%( Yb3+,Tb3+)∶GdTaO4%정체생장%유효분응계수
    采用提拉法生长了尺寸为φ30 mm × 50 mm的(Yb3+,La3+)∶Gd2SiO5单晶和尺寸为φ24 mm×57 mm的( Yb3+,Tb3)∶GdTaO4单晶,用X射线荧光法测量了掺杂样品的组分浓度在晶体中的分布,拟合了掺杂离子的有效分凝系数,结果表明:Yb3+在Gd2SiO5晶体中的分凝系数为1.185(15),接近单位1,而La3+则为0.68 (10),偏离单位1较多,对晶体的光学均匀性会有较大的影响；Yb3+和Tb3+在GdTaO4中的分凝系数为0.84(14)和0.84(5),接近单位1,对晶体的光学均匀性影响较小.
    채용제랍법생장료척촌위φ30 mm × 50 mm적(Yb3+,La3+)∶Gd2SiO5단정화척촌위φ24 mm×57 mm적( Yb3+,Tb3)∶GdTaO4단정,용X사선형광법측량료참잡양품적조분농도재정체중적분포,의합료참잡리자적유효분응계수,결과표명:Yb3+재Gd2SiO5정체중적분응계수위1.185(15),접근단위1,이La3+칙위0.68 (10),편리단위1교다,대정체적광학균균성회유교대적영향；Yb3+화Tb3+재GdTaO4중적분응계수위0.84(14)화0.84(5),접근단위1,대정체적광학균균성영향교소.
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