机电工程
機電工程
궤전공정
MECHANICAL & ELECTRICAL ENGINEERING MAGAZINE
2012年
6期
714-717
,共4页
无线局域网%互补型金属氧化物半导体%低噪声放大器%密勒效应消除
無線跼域網%互補型金屬氧化物半導體%低譟聲放大器%密勒效應消除
무선국역망%호보형금속양화물반도체%저조성방대기%밀륵효응소제
针对5 GHz频段无线局域网通信标准的市场需求,提出了一种基于源端电感退化的低噪声放大器(LNA).设计采用了新加坡特许半导体(CHRT)提供的0.18 μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺库,并对设计结果进行了流片测试验证.重点分析了基于源端电感退化的低噪声放大器的关键参数与性能折中,包括输入噪声匹配、密勒效应(miller effect)对噪声性能造成的影响,以及解决方案等在射频低噪声放大器设计中至关重要的因素.研究结果表明,噪声系数(NF)、线性度以及增益等关键指标皆可满足5GHz无线通信的需求；其中噪声系数(NF)在超低功耗条件下(Pcom＜4 mW),可以达到3 dB以下.
針對5 GHz頻段無線跼域網通信標準的市場需求,提齣瞭一種基于源耑電感退化的低譟聲放大器(LNA).設計採用瞭新加坡特許半導體(CHRT)提供的0.18 μm互補型金屬氧化物半導體(CMOS)工藝庫,併對設計結果進行瞭流片測試驗證.重點分析瞭基于源耑電感退化的低譟聲放大器的關鍵參數與性能摺中,包括輸入譟聲匹配、密勒效應(miller effect)對譟聲性能造成的影響,以及解決方案等在射頻低譟聲放大器設計中至關重要的因素.研究結果錶明,譟聲繫數(NF)、線性度以及增益等關鍵指標皆可滿足5GHz無線通信的需求；其中譟聲繫數(NF)在超低功耗條件下(Pcom＜4 mW),可以達到3 dB以下.
침대5 GHz빈단무선국역망통신표준적시장수구,제출료일충기우원단전감퇴화적저조성방대기(LNA).설계채용료신가파특허반도체(CHRT)제공적0.18 μm호보형금속양화물반도체(CMOS)공예고,병대설계결과진행료류편측시험증.중점분석료기우원단전감퇴화적저조성방대기적관건삼수여성능절중,포괄수입조성필배、밀륵효응(miller effect)대조성성능조성적영향,이급해결방안등재사빈저조성방대기설계중지관중요적인소.연구결과표명,조성계수(NF)、선성도이급증익등관건지표개가만족5GHz무선통신적수구；기중조성계수(NF)재초저공모조건하(Pcom＜4 mW),가이체도3 dB이하.
